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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ctr -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 基因半导体 - 批量 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 活跃 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 80 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 400a 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 165a -
GKR26/16 GeneSiC Semiconductor GKR26/16 -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 25a -
1N4593 GeneSiC Semiconductor 1N4593 35.5695
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4593 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4593GN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 150 A 5.5 ma @ 800 V -60°C 〜200°C 150a -
MBRF60045 GeneSiC Semiconductor MBRF60045 -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 300A（DC） 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40°C〜175°C
1N1200A GeneSiC Semiconductor 1N1200A 6.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1200 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1065 Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
UFT10040 GeneSiC Semiconductor UFT10040 -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AB 标准 TO-249AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 400 v 50a 1.3 V @ 50 A 70 ns 25 µA @ 400 V -55°C〜150°C
S25K GeneSiC Semiconductor S25K 5.2485
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25KGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
S6K GeneSiC Semiconductor S6K 3.8625
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） s6kgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
1N3289A GeneSiC Semiconductor 1N3289A 33.5805
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3289 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3289AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.5 V @ 100 A 24 mA @ 200 V -40°C 200°C 100a -
MBRH20045R GeneSiC Semiconductor MBRH20045R 75.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 MBRH20045 肖特基，反极性 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1061 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 700 mv @ 200 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 200a -
MBRT20045 GeneSiC Semiconductor MBRT20045 98.8155
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT20045GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA600150 GeneSiC Semiconductor MBRTA600150 -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 300A 880 mv @ 300 A 4 mA @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X050 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 50a 840 mv @ 50 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N4593R 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N4593RGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 150 A 5.5 ma @ 800 V -60°C 〜200°C 150a -
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR40005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR6035 GeneSiC Semiconductor MBR6035 20.2695
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6035GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 35 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 MSRTA200 标准 - 下载 rohs3符合条件 1242-MSRTA20080D Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 200a 1.1 V @ 200 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 肖特基 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C 240a -
1N3892 GeneSiC Semiconductor 1N3892 9.3000
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3892 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1035 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.4 V @ 12 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 12a -
MBRT300200R GeneSiC Semiconductor MBRT300200R 107.3070
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT300200 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
S70JR GeneSiC Semiconductor S70JR 9.8985
RFQ
 ECAD 6030 0.00000000 基因半导体 - 批量 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70J 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70JRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
S6QR GeneSiC Semiconductor S6QR 3.8625
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S6Q 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 6a -
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1188 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1045 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
KBU1004 GeneSiC Semiconductor KBU1004 0.8205
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 基因半导体 - 批量 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，kbu 标准 KBU 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBU1004GN Ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT12035 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12035RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 35 v 60a 750 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S12MGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.1 V @ 12 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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