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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S300J | 63.8625 | ![]() | 5668 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S300 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S300JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 300 A | 10 µA @ 100 V | -60°C 〜200°C | 300A | - | ||||||||||
![]() | MBRT500200 | - | ![]() | 5882 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MUR2X060A06 | 47.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1311 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 60a | 1.5 V @ 60 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||||||
1N4595R | 35.5695 | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N4595R | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.5 V @ 150 A | 4 ma @ 1200 V | -60°C 〜200°C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 1284 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S6Q | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||
![]() | MBRF500150R | - | ![]() | 9365 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 250a | 880 mv @ 250 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | MBRT60020L | - | ![]() | 3867 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | FST7340M | - | ![]() | 4494 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 35a | 700 MV @ 35 A | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
MURH7020R | 49.5120 | ![]() | 1632年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | Murh7020 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||
![]() | MBR60080CTR | 129.3585 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60080 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60080CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR2X050A080 | 43.6545 | ![]() | 5522 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 80 V | 50a | 840 mv @ 50 A | 1 mA @ 80 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | FST16060 | 75.1110 | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST16060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 160a(DC) | 800 mv @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S40GR | 6.3770 | ![]() | 3493 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S40G | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S40GRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 100 V | -65°C 〜190°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR60030CT | 129.3585 | ![]() | 8524 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60030CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
1N3673A | 4.2345 | ![]() | 9171 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3673 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1109 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | GD30MPS12H | 10.4700 | ![]() | 980 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-GD30MPS12H | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 1.8 V @ 30 A | 20 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 55a | 1101pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | 150K100A | 35.5695 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150K100 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 150K100AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.33 V @ 150 A | 24 mA @ 1000 V | -40°C 200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | GB20SLT12-247D | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247 | - | (1 (无限) | 1242-1316 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 25a | 1.8 V @ 10 A | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
![]() | MBR40045CT | - | ![]() | 9313 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 螺丝安装 | SOT-227-4 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1132 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 400A(DC) | 1.2 V @ 200 A | 5 µA @ 36 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | FR12D02 | 8.2245 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR12D02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 800 mv @ 12 a | 200 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | murt40040r | 134.5800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murt40040 | 标准,反极性 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1098 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 200a | 1.35 V @ 200 A | 180 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | mur10040ctr | 75.1110 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | Mur10040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10040ctrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | MBRH240200 | 76.4925 | ![]() | 7854 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 肖特基 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 920 MV @ 240 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | 240a | - | ||||||||||||
![]() | MBR50045CT | - | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MBRTA80020R | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 400a | 720 MV @ 400 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | GA01PNS80-220 | 349.8000 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 轴向 | GA01PNS80 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1259 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2 a | 4pf @ 1000V,1MHz | PIN-单 | 8000V | - | |||||||||||||
![]() | MBRF12035R | - | ![]() | 4524 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 mA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | S40J | 6.3770 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S40JGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 40 A | 10 µA @ 100 V | -65°C 〜190°C | 40a | - | |||||||||||
![]() | MUR10010CT | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | Mur10010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | mur10010ctgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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