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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
MURH7020 GeneSiC Semiconductor Murh7020 49.5120
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C 70a -
MBRF200100R GeneSiC Semiconductor MBRF200100R -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
S85QR GeneSiC Semiconductor S85QR 11.8980
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S85Q 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1096 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 85a -
MBR6020R GeneSiC Semiconductor MBR6020R 21.3105
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR6020 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6020RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
FR40J05 GeneSiC Semiconductor FR40J05 12.8985
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40J05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0.1980
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-Edip（0.321英寸，8.15mm） DB104 标准 DB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor MSRTA30080A 56.2380
RFQ
 ECAD 1863年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA300 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 300A（DC） 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor MBR12080CT 68.8455
RFQ
 ECAD 1773年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12080 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR12080CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 120A（DC） 840 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V
MBRTA50035 GeneSiC Semiconductor MBRTA50035 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 250a 700 MV @ 250 A 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBR6040R GeneSiC Semiconductor MBR6040R 21.3105
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR604 肖特基，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR6040RGN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 650 mv @ 60 a 5 ma @ 20 V -65°C〜150°C 60a -
MSRT15080AD GeneSiC Semiconductor MSRT15080AD 71.6012
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT150 标准 三个塔 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 150a 1.1 V @ 150 A 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C
S25KR GeneSiC Semiconductor S25kr 5.2485
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25K 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25krgn Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
MBRTA50045 GeneSiC Semiconductor MBRTA50045 -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 250a 700 MV @ 250 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A06 47.1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X060 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1311 Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 60a 1.5 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
MBRT40030 GeneSiC Semiconductor MBRT40030 118.4160
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT40030GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3208R GeneSiC Semiconductor 1N3208R 7.0650
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3208R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3208RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 50 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 15a -
MBR12035CT GeneSiC Semiconductor MBR12035CT 68.8455
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12035 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1051 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 120A（DC） 650 MV @ 120 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRT20040 GeneSiC Semiconductor MBRT20040 102.9600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1018 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
FR6K05 GeneSiC Semiconductor FR6K05 5.0745
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6K05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
MBR8045 GeneSiC Semiconductor MBR8045 24.8600
RFQ
 ECAD 3214 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 mv @ 80 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 80a -
S400KR GeneSiC Semiconductor S400kr 88.0320
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S400 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S400KRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.2 V @ 400 A 10 µA @ 50 V -60°C 〜200°C 400a -
MBRF20040 GeneSiC Semiconductor MBRF20040 -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
MBRT300200 GeneSiC Semiconductor MBRT300200 107.3070
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 150a 920 MV @ 150 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MBRF500150R GeneSiC Semiconductor MBRF500150R -
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 250a 880 mv @ 250 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST16040GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 160a（DC） 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor mur10005ctr -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） mur10005ctrgn Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 50a 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR8060 GeneSiC Semiconductor MBR8060 21.1680
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR8060GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 750 MV @ 80 A 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C 80a -
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 400a 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
GKR13012 GeneSiC Semiconductor GKR13012 37.6023
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 GKR130 标准 DO-205AA（DO-8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.5 V @ 60 A 22 ma @ 1200 V -40°C〜180°C 165a -
GKR26/16 GeneSiC Semiconductor GKR26/16 -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 25a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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