SIC
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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GB50SLT12 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 50 A 0 ns 1 ma @ 1200 V -55°C 〜175°C 50a 2940pf @ 1V，1MHz
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR20005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 50 V 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
S40B GeneSiC Semiconductor S40B 10.3200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 100 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 40a -
MURH7010 GeneSiC Semiconductor Murh7010 49.5120
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67 标准 D-67 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55°C〜150°C 70a -
S300DR GeneSiC Semiconductor S300DR 63.8625
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205ab，do-9，螺柱 S300 标准，反极性 DO-205AB（DO-9） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S300DRGN Ear99 8541.10.0080 8 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 100 V -60°C 〜200°C 300A -
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 GB05MPS17 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-1342 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 6 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 25a 334pf @ 1V，1MHz
1N3293AR GeneSiC Semiconductor 1N3293AR 33.5805
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3293AR 标准，反极性 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3293ARGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.5 V @ 100 A 17 ma @ 600 V -40°C 200°C 100a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1N2133AR 8.9025
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N2133AR 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N2133ARGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
FR6MR05 GeneSiC Semiconductor FR6MR05 5.3355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6MR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
S150Q GeneSiC Semiconductor S150Q 35.5695
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 S150 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S150QGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 150a -
FR70J02 GeneSiC Semiconductor FR70J02 17.5905
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR70J02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.4 V @ 70 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 70a -
1N5828 GeneSiC Semiconductor 1N5828 12.4155
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N5828 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N5828GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 500 mv @ 15 a 10 ma @ 20 V -65°C〜150°C 15a -
MBRTA80060 GeneSiC Semiconductor MBRTA80060 -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 400a 780 mv @ 400 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
SD4145R GeneSiC Semiconductor SD4145R 14.3280
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 SD4145 肖特基，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V -55°C〜150°C 30a -
GBPC2508W GeneSiC Semiconductor GBPC2508W 4.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC2508 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1292 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.2 A 5 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM -
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3SM 肖特基 D61-3SM 下载 （1 （无限） FST8320SMGN Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 80A（DC） 650 mv @ 80 A 1.5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
GBPC1506W GeneSiC Semiconductor GBPC1506W 2.4180
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1506 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1506WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
FR40J05 GeneSiC Semiconductor FR40J05 12.8985
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR40J05GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
S40Y GeneSiC Semiconductor S40Y 8.4675
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S40YGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65°C〜160°C 40a -
MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor MBR400150CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 150 v 200a 880 mv @ 200 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准，反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FR6AR05GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1.4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H 5.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GD05MPS SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1242-GD05MPS17H Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1700 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 15a 361pf @ 1V，1MHz
MBRF50020 GeneSiC Semiconductor MBRF50020 -
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 20 v 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N1187 GeneSiC Semiconductor 1N1187 7.4730
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1187 标准 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N1187GN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR40045CTR GeneSiC Semiconductor MBR40045CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR40045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR40045CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 45 v 200a 650 mv @ 200 a 5 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N8024-GA GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 基因半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-257-3 1N8024 SIC （碳化硅） TO-257 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.74 V @ 750 mA 0 ns 10 µA @ 1200 V -55°C〜250°C 750mA 66pf @ 1V，1MHz
GKN26/04 GeneSiC Semiconductor GKN26/04 -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 do-4 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.55 V @ 60 A 4 ma @ 400 V -40°C〜180°C 25a -
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor MUR20010CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR20010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1242-1000 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 100a 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBRTA60030R GeneSiC Semiconductor MBRTA60030R -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 30 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBR7545 GeneSiC Semiconductor MBR7545 20.8845
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 MBR7545 肖特基 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBR7545GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 650 MV @ 75 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 75a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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