SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
GSXD030A008S1-D3 SemiQ GSXD030A008S1-D3 27.7148
RFQ
ECAD 3886 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD030 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 80 V 30a 840 mv @ 30 a 1 mA @ 80 V -40°C〜150°C
GP2D020A170B SemiQ GP2D020A170B -
RFQ
ECAD 7384 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-1053-5 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1700 v 1.75 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 20a 1624pf @ 1V,1MHz
GSXD100A020S1-D3 SemiQ GSXD100A020S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 100a 920 MV @ 100 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
GSXD030A010S1-D3 SemiQ GSXD030A010S1-D3 27.7148
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD030 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 100 v 30a 840 mv @ 30 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
GSXD120A012S1-D3 SemiQ GSXD120A012S1-D3 37.0575
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD120 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 120 v 120a 880 mv @ 120 A 3 ma @ 120 V -40°C〜150°C
GSXD100A004S1-D3 SemiQ GSXD100A004S1-D3 37.9500
RFQ
ECAD 45 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD100 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 100a 700 mv @ 100 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3 47.0100
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS100 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-GHXS100B065S-D3 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 650 v 193a(DC) 1.65 V @ 100 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GSXD160A020S1-D3 SemiQ GSXD160A020S1-D3 41.7555
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD160 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 160a 920 MV @ 160 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
GP3D050A060B SemiQ GP3D050A060B -
RFQ
ECAD 1589年 0.00000000 semiq * 管子 积极的 GP3D050 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30
GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3 20.4600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS010 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 10a 1.7 V @ 10 A 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A 2.5492
RFQ
ECAD 6628 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 GP3D010 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 10 A 0 ns 25 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 419pf @ 1V,1MHz
GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U 6.3700
RFQ
ECAD 339 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GP3D020 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 10a 1.6 V @ 10 A 0 ns 25 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GSXF120A040S1-D3 SemiQ GSXF120A040S1-D3 -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF120 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 400 v 120a 1.3 V @ 120 A 100 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3 -
RFQ
ECAD 7460 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD030 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 30a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -40°C〜150°C
GSXD080A018S1-D3 SemiQ GSXD080A018S1-D3 34.6525
RFQ
ECAD 6863 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD080 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 180 v 80a 920 MV @ 80 A 3 ma @ 180 V -40°C〜150°C
GP2D020A120B SemiQ GP2D020A120B -
RFQ
ECAD 4576 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-1052-5 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 20a 1270pf @ 1V,1MHz
GSXF030A100S1-D3 SemiQ GSXF030A100S1-D3 -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF030 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1000 v 30a 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B 6.2800
RFQ
ECAD 171 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GP3D020 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 835pf @ 1V,1MHz
GP2D010A065A SemiQ GP2D010A065A -
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 10 A 100 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 527pf @ 1V,1MHz
GSXD060A010S1-D3 SemiQ GSXD060A010S1-D3 33.2649
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD060 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 100 v 60a 840 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
GSXF060A060S1-D3 SemiQ GSXF060A060S1-D3 31.8774
RFQ
ECAD 6062 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF060 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GSXF060A060S1D3 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 60a 1.5 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GSXF030A060S1-D3 SemiQ GSXF030A060S1-D3 -
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 semiq - 管子 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF030 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 GSXF030A060S1D3 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 30a 1.5 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B 8.5100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GP3D010 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1700 v 1.65 V @ 10 A 0 ns 40 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 67a 699pf @ 1V,1MHz
GHXS060B120S-D3 SemiQ GHXS060B120S-D3 98.5800
RFQ
ECAD 48 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS060 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1560-GHXS060B120S-D3 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1200 v 161a 1.7 V @ 60 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B 5.3303
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 semiq AMP+™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 GP3D010 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.65 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 608pf @ 1V,1MHz
GSXD030A006S1-D3 SemiQ GSXD030A006S1-D3 27.7148
RFQ
ECAD 4091 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD030 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 60 V 30a 750 MV @ 30 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GP3D030A060B SemiQ GP3D030A060B -
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 semiq - 管子 积极的 - - GP3D030 肖特基 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) - - -
GSXD120A006S1-D3 SemiQ GSXD120A006S1-D3 38.0922
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXD120 肖特基 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 60 V 120a 750 MV @ 120 A 1 mA @ 60 V -40°C〜150°C
GHXS050A060S-D3 SemiQ GHXS050A060S-D3 54.3800
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GHXS050 SIC (碳化硅) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 50a 1.8 V @ 50 A 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
GSXF100A040S1-D3 SemiQ GSXF100A040S1-D3 35.2259
RFQ
ECAD 1350 0.00000000 semiq - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GSXF100 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 13 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 400 v 100a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库