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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GHXS030A120S-D1E | 106.8000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS030 | 碳化硅肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.7V@30A | 1200V时为200μA | 30A | 单相 | 1.2kV | |||||||||
![]() | GP3D008A065A | 2.0600 | ![]() | 4930 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GP3D008 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.6V@8A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 8A | 336pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | GP3D005A170B | 5.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D005 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-1243 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.65V@5A | 0纳秒 | 1700V时为20μA | -55℃~175℃ | 21A | 347pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | GP2D024A065U | - | ![]() | 9837 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 36A(直流) | 1.65V@12A | 0纳秒 | 650V时为120μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | GP3D005A120A | - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | 半Q | * | 管子 | 的积极 | GP3D005 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-1244 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | GP3D050A065B | 11.0520 | ![]() | 4522 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | GP3D050 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GP3D050A065B | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.6V@50A | 650V时为125μA | -55℃~175℃ | 135A | 1946pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | GHXS050B120S-D3 | 54.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS050 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GHXS050B120S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 101A(直流) | 1.7V@50A | 0纳秒 | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | GSXD080A006S1-D3 | - | ![]() | 第1562章 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 60V | 80A | 750毫伏@80安 | 1毫安@60伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GSXD050A018S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 9824 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 50A | 920 毫伏 @ 50 安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GHXS100B120S-D3 | 82.3100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS100 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GHXS100B120S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 198A(直流) | 1.7V@100A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | GSXD050A010S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 9570 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 100V | 50A | 840 毫伏 @ 50 安 | 1毫安@100伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GP3D010A065D | 2.2227 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | 半Q | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | GP3D010 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GP3D010A065DCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | - | 650伏 | - | 10A | - | ||||||||||||
![]() | GHXS050B065S-D3 | 33.7900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS050 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GHXS050B065S-D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 2 独立 | 650伏 | 95A(直流) | 1.6V@50A | 0纳秒 | 650V时为125μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | GSXD050A004S1-D3 | 32.7063 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 45V | 50A | 700毫伏@50安 | 1毫安@45伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GSXD050A015S1-D3 | 35.5100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 150伏 | 50A | 880毫伏@50安 | 3毫安@150伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GP2D020A120U | - | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 33A(直流) | 1.8V@10A | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | ||||||||||
![]() | GP2D010A120B | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-1044-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为20μA | -55℃~175℃ | 10A | 635pF @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | GSXF030A120S1-D3 | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXF030 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | GSXF030A120S1D3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 30A | 2.35V@30A | 85纳秒 | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | GP3D015A120A | 7.9700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | GP3D015 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-GP3D015A120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@15A | 0纳秒 | 1200V时为30μA | -55℃~175℃ | 15A | 962pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | GP3D060A120U | 25.3893 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | GP3D060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 30A | 1.7V@30A | 0纳秒 | 1200V时为60μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | GP3D010A120C | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | 半Q | * | 管子 | 的积极 | GP3D010 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GSXF060A120S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXF060 | 标准 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 60A | 2.35V@60A | 90纳秒 | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||
![]() | GHXS045A120S-D3 | 88.5000 | ![]() | 8493 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GHXS045 | SiC(碳化硅)肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 1200伏 | 45A | 1.7V@45A | 1200V时为300μA | -55℃~175℃ | ||||||||
![]() | GSXD080A008S1-D3 | 34.6525 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 80V | 80A | 840毫伏@80安 | 1毫安@80伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GSXD100A018S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 2744 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
GP2D006A065A | - | ![]() | 9773 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1560-1041-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.65V@6A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 6A | 316pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | GSXD160A012S1-D3 | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 过时的 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD160 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 120V | 160A | 880毫伏@160安 | 3毫安@120伏 | -40℃~150℃ | ||||||||
![]() | GP2D008A065A | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.45V@30A | 0纳秒 | 650V时为9μA | - | 8A | - | ||||||||
![]() | GSXD300A170S2D5 | - | ![]() | 2356 | 0.00000000 | 半Q | 放大器+™ | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 添加PAK (3) | GSXD300 | 标准 | ADD-A-PAK® | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1700伏 | 1.9V@300A | 540纳秒 | -40℃~150℃ | 300A | - | |||||||||
![]() | GSXD080A004S1-D3 | 39.3400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 半Q | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | GSXD080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 45V | 80A | 700毫伏@80安 | 1毫安@45伏 | -40℃~150℃ |
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