SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZX84J-B75115 NXP USA Inc. BZX84J-B75115 1.0000
RFQ
ECAD 5015 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
PZU22B1A-QX Nexperia USA Inc. PZU22B1A-QX 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 320兆W SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 50 µA @ 17 V 21.33 v 25欧姆
HZS7.5NB1TA-E Renesas Electronics America Inc HZS7.5NB1TA-E 0.1100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N4985CUS/TR Microchip Technology JAN1N4985CUS/TR 34.0950
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JAN1N4985CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 98.8 V 130 v 190欧姆
Z4KE180-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE180-E3/73 -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 ±10% -55°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Z4KE180 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 129.6 V 180 v 1300欧姆
SMB3EZ110D5-TP Micro Commercial Co SMB3EZ110D5-TP -
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SMB3EZ110 3 W DO-214AA(SMB) - rohs3符合条件 353-SMB3EZ110D5-TPTR Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 200 ma 500 NA @ 83.6 V 110 v 225欧姆
NZX4V7D,133 NXP USA Inc. NZX4V7D,133 0.0200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX4 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
FLZ3V0A Fairchild Semiconductor flz3v0a -
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 ±4% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 SOD-80 - rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 ma 35 µA @ 1 V 3 V 35欧姆
1N5355BG onsemi 1N5355BG 0.4900
RFQ
ECAD 5190 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 T-18,轴向 1N5355 5 w 轴向 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 18 V 2.5欧姆
BZX84B2V7-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B2V7-HE3-08 0.2600
RFQ
ECAD 770 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX84 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84B2V7 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 V 2.7 v 100欧姆
3EZ16D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ16D/TR12 -
RFQ
ECAD 9028 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 3EZ16 3 W DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 12.2 V 16 V 5.5欧姆
JANTX1N6491DUS/TR Microchip Technology JANTX1N6491DUS/TR -
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 150-JANTX1N6491DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 500 na @ 2 V 5.6 v 5欧姆
SMBG5347BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5347BE3/TR13 1.1550
RFQ
ECAD 2149 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5347 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 7.2 V 10 v 2欧姆
NTE5030A NTE Electronics, Inc NTE5030A 0.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 2368-NTE5030A Ear99 8541.10.0050 1 22 v 29欧姆
BZT52B8V2-HF Comchip Technology BZT52B8V2-HF 0.0418
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 BZT52 500兆 SOD-123 - (1 (无限) 641-BZT52B8V2-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 630 na @ 5 V 8.2 v 14欧姆
NZ9F4V3T5G onsemi NZ9F4V3T5G -
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-923 NZ9F 250兆 SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 100欧姆
CDLL5955B Microchip Technology CDLL5955B 7.8450
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5955 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 136.8 V 180 v 900欧姆
1N4743APE3/TR12 Microchip Technology 1N4743APE3/TR12 0.9450
RFQ
ECAD 5162 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4743 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
BZX79C39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C39 A0G -
RFQ
ECAD 3683 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX79 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 ma 50 na @ 27.3 V 39 v 130欧姆
JANKCA1N4099 Microchip Technology jankca1n4099 -
RFQ
ECAD 4871 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 DO-7(do-204AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N4099 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5.17 V 6.8 v 200欧姆
SMBG5953C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5953C/TR13 -
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5953 2 w SMBG(DO-215AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 v 600欧姆
BZT03C47-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C47-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (CT) 积极的 ±6.38% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C47 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 36 V 47 V 45欧姆
BZX55C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C47 0.0287
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BZX55C47TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 ma 100 na @ 35 V 47 V 110欧姆
1N753AUR-1 Microchip Technology 1N753AR-1 3.0300
RFQ
ECAD 1480 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N753 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
SMBJ5943BHE3-TP Micro Commercial Co SMBJ5943BHE3-TP 0.1549
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 微商业公司 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5943 1.5 w DO-214AA(SMB) 下载 353-SMBJ5943BHE3-TP Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
JAN1N4372C-1/TR Microchip Technology JAN1N4372C-1/TR 6.7697
RFQ
ECAD 9530 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4372C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTXV1N4966CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4966CUS/TR 41.0400
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JANTXV1N4966CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
1N4483US/TR Microchip Technology 1N4483US/TR 11.5000
RFQ
ECAD 4933 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 44.8 V 56 v 70欧姆
BZX85C5V1TR5K Fairchild Semiconductor BZX85C5V1TR5K 0.0600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 不适用 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 2 V 5.1 v 10欧姆
BZX84-B2V7,215 NXP USA Inc. BZX84-B2V7,215 0.0200
RFQ
ECAD 128 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库