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![]() | SMB3EZ110D5-TP | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMB3EZ110 | 3 W | DO-214AA(SMB) | - | rohs3符合条件 | 353-SMB3EZ110D5-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 ma | 500 NA @ 83.6 V | 110 v | 225欧姆 | |||
![]() | NZX4V7D,133 | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX4 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||
flz3v0a | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±4% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 ma | 35 µA @ 1 V | 3 V | 35欧姆 | ||||||
![]() | 1N5355BG | 0.4900 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5355 | 5 w | 轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 2.5欧姆 | ||
BZX84B2V7-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 770 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX84 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84B2V7 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | ||||
![]() | 3EZ16D/TR12 | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 3EZ16 | 3 W | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 12.2 V | 16 V | 5.5欧姆 | ||
JANTX1N6491DUS/TR | - | ![]() | 3450 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANTX1N6491DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 500 na @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||
![]() | SMBG5347BE3/TR13 | 1.1550 | ![]() | 2149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5347 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 5 µA @ 7.2 V | 10 v | 2欧姆 | ||
![]() | NTE5030A | 0.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE5030A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 22 v | 29欧姆 | ||||||
![]() | BZT52B8V2-HF | 0.0418 | ![]() | 3686 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52 | 500兆 | SOD-123 | - | (1 (无限) | 641-BZT52B8V2-HFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 630 na @ 5 V | 8.2 v | 14欧姆 | |||
![]() | NZ9F4V3T5G | - | ![]() | 7621 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | NZ9F | 250兆 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 100欧姆 | ||
CDLL5955B | 7.8450 | ![]() | 2489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5955 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 136.8 V | 180 v | 900欧姆 | |||
![]() | 1N4743APE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4743 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10欧姆 | ||
![]() | BZX79C39 A0G | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 ma | 50 na @ 27.3 V | 39 v | 130欧姆 | ||
![]() | jankca1n4099 | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N4099 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.17 V | 6.8 v | 200欧姆 | |||
![]() | SMBG5953C/TR13 | - | ![]() | 3441 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5953 | 2 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 v | 600欧姆 | ||
![]() | BZT03C47-TAP | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | (CT) | 积极的 | ±6.38% | 175°C(TJ) | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BZT03C47 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45欧姆 | ||
![]() | BZX55C47 | 0.0287 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZX55C47TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 35 V | 47 V | 110欧姆 | ||
![]() | 1N753AR-1 | 3.0300 | ![]() | 1480 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N753 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 3欧姆 | |||
![]() | SMBJ5943BHE3-TP | 0.1549 | ![]() | 2504 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5943 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | 353-SMBJ5943BHE3-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 v | 86欧姆 | ||||
JAN1N4372C-1/TR | 6.7697 | ![]() | 9530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4372C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | |||||
![]() | JANTXV1N4966CUS/TR | 41.0400 | ![]() | 6871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4966CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | |||||
![]() | 1N4483US/TR | 11.5000 | ![]() | 4933 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 44.8 V | 56 v | 70欧姆 | ||||||
![]() | BZX85C5V1TR5K | 0.0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 2 V | 5.1 v | 10欧姆 | |||||
![]() | BZX84-B2V7,215 | 0.0200 | ![]() | 128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
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