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Jan1n6636us | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 20 µA @ 1 V | 4.7 v | 2欧姆 | |||||
![]() | MMXZ5229C-TP | 0.0488 | ![]() | 8471 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±2.09% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | MMXZ5229 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | 353-MMXZ5229C-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 100 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||
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![]() | BZX884S-C30yl | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-882 | 365兆w | DFN1006BD-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | |||
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![]() | JANTX1N5525CUR-1/TR | 39.5808 | ![]() | 3628 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5525CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||
![]() | SMZJ3808BHE3_B/i | 0.1500 | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ3808 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-SMZJ3808BHE3_B/ITR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3200 | 5 µA @ 47.1 V | 62 v | 100欧姆 | |||
Jan1n6349us/tr | 16.0800 | ![]() | 2976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JAN1N6349US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 84 V | 110 v | 500欧姆 | ||||||
![]() | SMZJ3789BHM3/h | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ37 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 V | 10 v | 5欧姆 | |||
![]() | RKZ12BKU#p6 | 0.2600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | |||||||||||||
![]() | TZQ5226B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SOD-80变体 | TZQ5226 | 500兆 | SOD-80四元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N5545DUR-1/TR | 55.0221 | ![]() | 4796 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5545DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100欧姆 | |||
JAN1N4574A-1 | 29.1000 | ![]() | 1735年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4574 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | ||||
![]() | ZMD27 | 0.0802 | ![]() | 12 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1 w | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-ZMD27TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 na @ 18 V | 27 V | 30欧姆 | |||||
![]() | BZX584B11 RKG | - | ![]() | 3346 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX584 | 150兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||
![]() | BZT52C56 | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52C56STR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | NZ9F3V0T5G | - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | NZ9F | 250兆 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 100欧姆 | ||
![]() | JANS1N4980 | 80.1900 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | B,轴向 | 5 w | B,轴向 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 62.2 V | 82 v | 80欧姆 | |||||
![]() | 3SMAJ5917B-TP | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | 3SMAJ5917 | 3 W | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 5欧姆 | ||
![]() | ZMM5264B-7 | - | ![]() | 1034 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | ZMM52 | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | ZMM5264B-7GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 NA @ 46 V | 60 V | 170欧姆 | ||
![]() | MMSZ4685-TP | 0.1200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ4685 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 950 mv @ 10 ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | |||
![]() | 1N3309B | 6.9500 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3309 | 50 W | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3309B | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 6.7 V | 10 v | 0.6欧姆 | |
![]() | XBZ12A120CR-G | - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | 托雷克斯半导体有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 0302(0805公制) | 137.5兆 | 2-USP-B02(0.8x0.5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 NA @ 9.1 V | 12 v | 25欧姆 | |||
![]() | JANTX1N3032D-1/TR | 24.4853 | ![]() | 3784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3032D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45欧姆 | |||
![]() | BZS55B22 RXG | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 1206 (3216公制) | BZS55 | 500兆 | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 100 na @ 16 V | 22 v | 55欧姆 | ||
![]() | BZX584B15V | 0.0200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX584B15VTR | Ear99 | 8,000 | ||||||||||||||
BZX84C7V5-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX84 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C7V5 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | ||||
![]() | JANS1N4132CUR-1/TR | 91.5802 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4132CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 62.4 V | 82 v | 800欧姆 | |||
![]() | RD20E-TB-AZ | 0.0600 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4614CUR-1/TR | - | ![]() | 4181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4614CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 |
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