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单层二极管（（76774）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
PD3Z284C5V6-7	0.4100	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜150°C	表面安装	PowerDi™323	PD3Z284	500兆	PowerDi™323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.1 V @ 100 mA	1 µA @ 2 V	5.6 v	40欧姆
1N4729A，113	0.3900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4729	1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000	1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	3.6 v	10欧姆
SZ2138.T	0.6858	RFQ	100	SMC二极管解决方案	-	托盘	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	死	SZ2138	500兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1655-1797	Ear99	8541.10.0040	100			38 v
JANTX1N4493US	15.0600	RFQ	5124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	250 NA @ 120 V	150 v	700欧姆
1N4750A_S00Z	-	RFQ	6972	Onmi	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750	1 w	do-41	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000		5 µA @ 20.6 V	27 V	35欧姆
JANTXV1N4106-1	-	RFQ	8130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.2 V	12 v	200欧姆
BZG03C13-HM3-18	0.1898	RFQ	9705	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，BZG03C-M	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6.54％	150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA	BZG03C13	1.25 w	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 mA	2 µA @ 10 V	13 V	10欧姆
1N5527C	3.6176	RFQ	3370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5527C	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V	7.5 v	35欧姆
JANTXV1N55330BUR-1/TR	17.2900	RFQ	7600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.1 V	10 v	60欧姆
BZW03D220-Tr	-	RFQ	1105	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 158 V	220 v	700欧姆
MMXZ5249C-TP	0.0488	RFQ	6232	微商业公司	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	MMXZ5249	200兆	SOD-323	下载				353-MMXZ5249C-TP	Ear99	8541.10.0050	1	900 mv @ 100 ma	100 na @ 14 V	19 v	23欧姆
hzu3.0b1jtrf-e	0.1100	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000
JANTX1N4574AUR-1/TR	35.7000	RFQ	7917	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4574AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V		100欧姆
CDS759AUR-1/TR	-	RFQ	8081	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-			到达不受影响	150-CDS759AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
ZMM5250B-7	-	RFQ	8828	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	ZMM5250	500兆	迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 200 ma	100 na @ 15 V	20 v	25欧姆
CDLL5221C/TR	6.9150	RFQ	9071	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5221C/TR	Ear99	8541.10.0050	137	1.1 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	2.4 v	30欧姆
JANTXV1N4480CUS	45.1350	RFQ	5242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4480CUS	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	50 NA @ 34.4 V	43 V	40欧姆
3EZ10D5-TP	0.1020	RFQ	1890年	微商业公司	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向	3EZ10	3 W	do-15	下载				353-3EZ10D5-TP	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 7.6 V	10 v	3.5欧姆
BZT52H-A7V5X	0.1463	RFQ	3489	Nexperia USA Inc.	BZT52H-A	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	BZT52	375兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BZT52H-A7V5XTR	Ear99	8541.10.0050	3,000	900 mv @ 10 ma	1 µA @ 5 V	7.5 v	10欧姆
1N5927BUR-1	4.0650	RFQ	5751	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5927	1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 9.1 V	12 v	6.5欧姆
BZT52C39HE3-TP	0.2400	RFQ	6	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5.13％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52C39	500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-BZT52C39HE3-TPTR	Ear99	8541.10.0050	3,000	900 mv @ 10 ma	100 na @ 27.3 V	39 v	130欧姆
Janhca1n4129d	-	RFQ	8666	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4129d	Ear99	8541.10.0050	100	1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 47.1 V	62 v	500欧姆
JANS1N6332DUS/TR	527.7150	RFQ	2129	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6332DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50	1.4 V @ 1 A	50 na @ 17 V	22 v	20欧姆
CMHz4688 bk锡/铅	-	RFQ	6581	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123		500兆	SOD-123	下载			到达不受影响	1514-CMHZ4688BKTIN/铅	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	10 µA @ 3 V	4.7 v
BZX585-C39,115	-	RFQ	4391	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523		300兆	SOD-523	下载					Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 100 mA	50 na @ 27.3 V	39 v	130欧姆
JANTX1N5531C-1/TR	13.9384	RFQ	7202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5531C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.9 V	11 V	80欧姆
JANS1N6339D	350.3400	RFQ	4336	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6339D	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	50 NA @ 33 V	43 V	65欧姆
BZG05C39TR	-	RFQ	2421	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	BZG05	1.25 w	DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 30 V	39 v	1000欧姆
ptztfte252.7b	0.4800	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7.41％	150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA		1 w	PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500		200 µA @ 1 V	2.9 v	15欧姆
BZX384C3V9-E3-08	0.2400	RFQ	12	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZX384	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384C3V9	200兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		5 µA @ 1 V	3.9 v	90欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单层二极管（（76774）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²