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单层二极管（（76774）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6015D	5.1900	RFQ	5079	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6015	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 33 V	43 V	150欧姆
1N6029A	2.5950	RFQ	5363	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6029	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 99 V	160 v	2000年
1N5913CG	6.0300	RFQ	5286	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5913	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	3.3 v	10欧姆
1N5914BG	3.0300	RFQ	8340	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5914	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V	3.6 v	9欧姆
1N5931BG	3.0300	RFQ	2113	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 13.7 V	18 V	12欧姆
1N5932AG	3.0300	RFQ	6716	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5932	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 15.2 V	20 v	14欧姆
1N5933AG	3.0300	RFQ	3967	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 16.7 V	22 v	17.5欧姆
1N5934BG	3.0300	RFQ	8878	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 18.2 V	24 V	19欧姆
1N5945AG	3.4050	RFQ	3601	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5945	1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 51.2 V	68 v	120欧姆
1N4683（DO35）	-	RFQ	2005	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4683	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	800 na @ 1 V	3 V
1N4685UR-1	5.0850	RFQ	5283	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4685	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	7.5 µA @ 2 V	3.6 v
1N4709（DO35）	-	RFQ	1852年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4709	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18.2 V	24 V
1N4713（DO35）	-	RFQ	3730	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4713	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.8 V	30 V
1N4728 g	-	RFQ	3432	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4728	1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	3.3 v	10欧姆
1N47333	3.4650	RFQ	4736	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4733	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V	5.1 v	7欧姆
1N4740A g	-	RFQ	1218	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740	1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 7.6 V	10 v	7欧姆
1N4754AUR	3.4650	RFQ	7489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4754	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V	39 v	60欧姆
1N4775A	16.9650	RFQ	8635	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4775	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			8.5 v	200欧姆
1N5266B（DO-35）	-	RFQ	7285	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5266	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 200 ma	100 na @ 52 V	68 v	230欧姆
1N5733B	1.8600	RFQ	8784	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5733	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	900 mv @ 10 ma	2 µA @ 5 V	7.5 v	10欧姆
1N4896	24.1650	RFQ	3863	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4896	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	400欧姆
1N4923A	43.4700	RFQ	7110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4923	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			19.2 v	150欧姆
1N4965US	9.1950	RFQ	6741	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4965	5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	2 µA @ 15.2 V	20 v	4.5欧姆
1N4971	6.9800	RFQ	7926	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4971	5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	2 µA @ 27.4 V	36 V	11欧姆
1N4978US	-	RFQ	8181	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4978	5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	2 µA @ 51.7 V	68 v	50欧姆
1N5224B（DO-35）	-	RFQ	2842	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5224	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V	2.8 v	30欧姆
1N3327B	49.3800	RFQ	4779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3327	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 v	4欧姆
1N3328A	49.3800	RFQ	3554	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3328	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V	43 V	4.5欧姆
1N3330RB	49.3800	RFQ	8184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3330	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5欧姆
1N2826B	94.8900	RFQ	8923	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2826	50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 v	4欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单层二极管（（76774）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²