SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SR302-AP Micro Commercial Co SR302-AP 0.1166
RFQ
ECAD 2569 0.00000000 微商业公司 - 大部分 上次购买 通过洞 DO-201 AD,轴向 SR302 肖特基 Do-201 AD 下载 353-SR302-AP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 3 a 500 µA @ 20 V -50°C〜125°C 3a 180pf @ 4V,1MHz
SS8P6CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P6CHM3/86A -
RFQ
ECAD 7770 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS8P6 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4a 700 mv @ 4 a 50 µA @ 60 V -55°C〜150°C
BAS19-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS19-E3-08 0.2200
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS19 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 V -55°C〜150°C 200mA 5pf @ 0v,1MHz
GSD2004C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSD2004C-G3-18 0.4400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 GSD2004 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 240 v 225mA 1 V @ 100 ma 50 ns 100 NA @ 240 V 150°C (最大)
MBRT20030R GeneSiC Semiconductor MBRT20030R 98.8155
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT20030 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT20030RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 30 V 100a 750 mv @ 100 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
VB20100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100SG-E3/4W 0.4950
RFQ
ECAD 8474 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
MUR1515G onsemi MUR1515G -
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MUR1515 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.05 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜175°C 15a -
BAV199-TP Micro Commercial Co BAV199-TP 0.2500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV199 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 70 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 V -55°C〜150°C
SBLB10L30HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB10L30HE3/81 -
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBLB10L30 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 520 mv @ 10 a 1 ma @ 30 V -65°C〜150°C 10a -
US2AA-TP Micro Commercial Co US2AA-TP 0.0705
RFQ
ECAD 1925年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 表面安装 do-214ac,SMA US2A 标准 DO-214AC(SMA) 下载 353-US2AA-TP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 2a 28pf @ 4V,1MHz
JAN1N5774 Microchip Technology 1月1N5774 -
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/474 大部分 积极的 表面安装 14-clatpack 标准 14-clatpack - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1.5 V @ 500 mA 20 ns 100 NA @ 40 V -65°C〜150°C 300mA 8pf @ 0v,1MHz
VS-HFA04SD60SRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04SD60SRHM3 0.9590
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HFA04 标准 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSHFA04SD60SRHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 4 A 42 ns 3 µA @ 600 V -65°C〜175°C 4a -
GC9704-150A Microchip Technology GC9704-150A -
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 肖特基 芯片 - 到达不受影响 150-GC9704-150ATR Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 5 v 600 mv @ 1 mA 100 na @ 1 V -55°C〜150°C 10mA 0.8pf @ 0v,1MHz
V3PM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pm10-m3/i 0.1036
RFQ
ECAD 9507 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa v3pm10 肖特基 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-v3pm10-m3/itr Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 560 mv @ 1.5 A 200 µA @ 100 V -40°C〜175°C 2.1a 300pf @ 4V,1MHz
E1CFS Yangjie Technology E1CFS 0.0220
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-E1CFSTR Ear99 3,000
ES2BALH Taiwan Semiconductor Corporation Es2balh 0.1491
RFQ
ECAD 5284 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-es2balhtr Ear99 8541.10.0080 14,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 mv @ 2 a 35 ns 1 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a 28pf @ 4V,1MHz
ES1ALHRVG Taiwan Semiconductor Corporation es1alhrvg 0.2565
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab ES1A 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
S50310TS Microchip Technology S50310T 158.8200
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-S50310TS 1
GP10BE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10BE-E3/54 0.1840
RFQ
ECAD 5881 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
FS2D-LTP Micro Commercial Co FS2D-LTP 0.0616
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA FS2D 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 150 ns 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 2a 50pf @ 4V,1MHz
SURS8110T3G onsemi SURS8110T3G -
RFQ
ECAD 1313 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB SURS8110 标准 SMB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a -
VS-150SQ035TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150SQ035TR -
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ar,轴向 150平方英尺 肖特基 do-204ar 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS150SQ035TR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 540 mv @ 15 A 1.75 ma @ 35 V -55°C〜150°C 15a 900pf @ 5V,1MHz
VS-MBRS190-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS190-M3/5BT 0.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB MBRS190 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 780 mv @ 1 a 500 µA @ 90 V -55°C 〜175°C 1a 42pf @ 5V,1MHz
NRVTS860PFST3G onsemi NRVTS860PFST3G 0.9600
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn NRVTS860 肖特基 TO-277-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 640 mv @ 8 a 70 µA @ 60 V -55°C 〜175°C 8a 870pf @ 1V,1MHz
STPS30SM80CG-TR STMicroelectronics STPS30SM80CG-TR -
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS30 肖特基 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 15a 790 mv @ 15 A 40 µA @ 80 V 175°c (最大)
1N5805/TR Microchip Technology 1N5805/tr 5.8500
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5805/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 125 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 125 V -65°C〜125°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
MBRB15H35CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H35CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 7.5a 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 35 V -65°C〜175°C
JANTX1N4150-1 Microchip Technology JANTX1N4150-1 1.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/231 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4150 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
1N5712UBD/TR Microchip Technology 1N5712UBD/tr 32.3600
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/444 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-SMD,没有铅 肖特基 UB - 100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 16 V 75mA 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 V -65°C〜150°C
SICPT40120DY-BP Micro Commercial Co SICPT40120DY-BP 11.4837
RFQ
ECAD 2285 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 SICPT40120 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 353-SICPT40120DY-BP Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 20a 1.55 V @ 20 A 0 ns 25 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库