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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
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![]() | SS3H9-E3/57T | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SS3H9 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 3 a | 20 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | B240AX-13 | 0.0738 | ![]() | 1860年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | B240 | 肖特基 | SMA | 下载 | 31-B240AX-13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 2 a | 250 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 220pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | 12ctq035s | 0.8700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 12ctq | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 6a | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C 〜175°C | |||||
S15KLWH | 0.0666 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-S15KLWHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1.5 A | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 1.5a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | BAS40-05-TPS01 | 0.0592 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | 353-BAS40-05-TPS01 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55°C〜125°C | ||||||
![]() | RB751S-40FHTE61 | - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB751 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB751S-40FHTE61TR | 过时的 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | MBR4045PT-BP | 0.9683 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR4045 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 353-MBR4045PT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 40a | 610 MV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MURB2020C-TP | 0.6354 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb2020 | 标准 | D2PAK | 下载 | 353-murb2020c-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.15 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||
![]() | GS1A_R1_00001 | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | GS1 | 标准 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS1A_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | S3580 | 36.6600 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S3580 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||||
![]() | G3S12003C | - | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | - | 供应商不确定 | 4436-G3S12003C | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 12a | 260pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 180 v | 50a | 920 MV @ 50 A | 3 ma @ 180 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | VS-20ETF06STRR-M3 | 1.5799 | ![]() | 9399 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 20ETF06 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||
![]() | PR1006GL-T | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||
BZT52C36Q | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52C36QTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||
S15GLWH | 0.0666 | ![]() | 3121 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-S15GLWHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1.5 A | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1.5a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | CUD10-04 TR13 | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | CUD10-04TR13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 10a | 62pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SBYV26CHM3/54 | - | ![]() | 6144 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SBYV26 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.5 V @ 1 A | 30 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SS1020FL_R1_00001 | 0.3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | SS1020 | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 1 a | 30 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | SK13 | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | MBR10100F-BP | 0.4485 | ![]() | 3132 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2隔离选项卡 | MBR1010 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | 353-MBR10100F-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 10 A | 500 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 10a | - | |||||||
1N457/tr | 3.5850 | ![]() | 3262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准,反极性 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N457/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 264 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 70 V | -65°C〜150°C | 150mA | - | ||||||||
![]() | SM4001PL-TP | 0.3000 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | SM4001 | 标准 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | S12K | 4.2345 | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S12KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 12a | - | ||||||
![]() | HS3KBH | 0.1509 | ![]() | 1285 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-HS3KBHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | sjpj-h3vl | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,J-LEAD | SJPJ-H3 | 肖特基 | SJP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | SJPJ-H3VL DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 2a | - | |||||
![]() | VS-66-8416 | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 66-8416 | - | 112-VS-66-8416 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IDP45E60XKSA1 | 1.5687 | ![]() | 1720年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IPD45 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 45 A | 140 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 71a | - | ||||
![]() | QR806_T0_00001 | - | ![]() | 3306 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | QR806 | 标准 | TO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 3757-QR806_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.65 V @ 8 A | 70 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | ||||
![]() | MUR20040CT | 101.6625 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR20040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR20040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 100a | 1.3 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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