电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MA3Z79300L | - | ![]() | 2656 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-85 | MA3Z793 | 肖特基 | smini3-f1 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 100mA(dc) | 550 mv @ 100 ma | 2 ns | 15 µA @ 30 V | 125°c (最大) | ||||||
![]() | Jan1n5804urs/tr | 19.6200 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/477 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | 150-JAN1N5804urs/tr | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||||
![]() | MBR400200CTR | 98.8155 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR400200 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 200a | 920 MV @ 200 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | RL103-N-0-2 bp | - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | 轴向 | RL103 | 标准 | A-405 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | RL103-N-0-2-BPM | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | RURP3040 | 1.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 30 A | 60 ns | 500 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 30a | - | |||||
![]() | MBRF20150CT | 1.3600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF20150 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 20a | 1.05 V @ 20 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR3060RL | - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | MBR3060 | 肖特基 | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MBR3060Rlos | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 620 mv @ 3 a | 150 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | SS29-M3/5BT | 0.1460 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS29 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 950 mv @ 3 a | 30 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||
![]() | MDK950-16N1W | - | ![]() | 1449 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MDK950 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 950a | 880 mv @ 500 A | 18 µs | 50 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | 20ETF02S | - | ![]() | 2247 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 20ETF02 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 20 A | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||
![]() | SBR10200CTFP | 1.1480 | ![]() | 5325 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR10200 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 900 mv @ 5 a | 20 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | SS12-E3/61T | 0.4900 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SS12 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 1 A | 200 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||
![]() | MSASC25H80KV/TR | - | ![]() | 6348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC25H80KV/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | SBR60A300PT | - | ![]() | 3704 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | SBR60 | 超级障碍 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 50 ns | 100 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | ||||
![]() | VFT2045CBP-M3/4W | 0.7999 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VFT2045 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 580 mv @ 10 a | 2 ma @ 45 V | 200°C (最大) | |||||
![]() | SR304-AP | 0.1166 | ![]() | 3624 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SR304 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | 353-SR304-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -50°C〜125°C | 3a | 180pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | 1N6912UTK2AS/TR | 259.3500 | ![]() | 3920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | SIC (碳化硅) | Thinkey™2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6912UTK2AS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 45 v | 640 mv @ 25 a | 1.2 ma @ 45 V | -65°C〜150°C | 25a | 1000pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | JANTX1N5551/TR | 6.5700 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5551/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||
![]() | JANTX1N3647.TR | - | ![]() | 6563 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/279 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | 轴向 | 下载 | 600-JANTX1N3647.TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3000 v | 5 V @ 250 MA | 2.5 µs | 1 µA @ 3000 V | -65°C〜175°C | 600mA | 8pf @ 5V,1MHz | |||||||
PMEG4010ET,215 | 0.4100 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PMEG4010 | 肖特基 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 640 mv @ 1 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 1a | 50pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | RFUH20TB4SNZC9 | 2.2500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFUH20 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RFUH20TB4SNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 430 v | 1.7 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 430 V | 150°C | 20a | - | |||
![]() | V40PWM153C-M3/i | 1.2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 20a | 1.04 V @ 20 A | 150 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | |||||||
![]() | MBR30200PTH | 1.8582 | ![]() | 8802 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR30200 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-mbr30200pth | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 1.1 V @ 30 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | 1月1N4245 | - | ![]() | 1286 | 0.00000000 | Semtech Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/286 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | 轴向 | 下载 | Jan1n4245s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 200 V | - | 1a | - | |||||||
![]() | MBD4448HSDW REG | - | ![]() | 1074 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 标准 | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MBD444448HSDWREGTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对系列连接 | 57 v | 250mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 NA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||||
ES2CA M2G | - | ![]() | 5355 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES2C | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 2a | 25pf @ 4V,1MHz | |||||
pu1dfsh | 0.4600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 标准 | SOD-128 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-pu1dfshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 1a | 19pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | RS2JH | 0.0964 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-RS2JHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 2 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MURS1560FA-BP | 1.2000 | ![]() | 3887 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2隔离选项卡 | Murs1560 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 15 A | 95 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | 100pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VS-70HFLR100S05 | 17.1400 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 70HFLR100 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.85 V @ 219.8 A | 500 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜125°C | 70a | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库