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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | sl34f | 0.0840 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SL34FTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 1f18 | 0.0550 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | R-1,轴向 | 标准 | R-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-1F18TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1800 v | 1.8 V @ 500 mA | 300 ns | 5 µA @ 1800 V | -55°C〜150°C | 500mA | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | ISOPAC0603 | - | ![]() | 7444 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | - | Isopac | 标准 | - | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | |||||
![]() | MUR410GP-AP | 0.1963 | ![]() | 9443 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | MUR410 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | 353-MUR410GP-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 4 A | 45 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 80pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | 1N5711UR-1E3 | 11.2500 | ![]() | 1355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 肖特基 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | DD540N22KHPSA2 | 308.5000 | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD540N22 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 540a | 1.48 V @ 1700 A | 40 mA @ 2200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | SBRT60U50CT | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | 二极管合并 | Trenchsbr | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBRT60 | 超级障碍 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SBRT60U50CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 30a | 520 mv @ 30 a | 700 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | DDB6U104N16RRBOSA1 | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U104 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3独立 | 1600 v | 25A(DC) | 1.3 V @ 1600 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
VS-20ETF12PBF | - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | 20ETF12 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 1.3 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||
![]() | SSC53LHE3/9AT | - | ![]() | 7173 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SSC53 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 5 a | 700 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||||
![]() | ACDST-70-HF | 0.0503 | ![]() | 1587年 | 0.00000000 | comchip技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-ACDST-70-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | |||||
ZLLS500TA | 0.5100 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ZLLS500 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 530 MV @ 500 mA | 3 ns | 10 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 700mA | 16pf @ 30v,1MHz | |||||
![]() | HSM390G/TR13 | 1.6350 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | HSM390 | 肖特基 | do-215ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 810 MV @ 3 A | 100 µA @ 90 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | IRKE56/14A | - | ![]() | 2614 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | ADD-a-pak(2) | IRKE56 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 10 ma @ 1400 V | 60a | - | |||||||
![]() | 1N916 | 0.2700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N916 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C 〜175°C | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
SARS02V1 | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | 桑肯 | - | (CT) | 过时的 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | 轴向 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 920 MV @ 1.5 A | 18 µs | 10 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 1.2a | - | ||||||||
BAV170-7-F | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV170 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 85 v | 125mA(dc) | 1.1 V @ 50 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | -65°C〜150°C | |||||
SK23A | 0.4300 | ![]() | 4152 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SK23 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||
![]() | 1N6080US | - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,G | 标准 | G-MELF(D-5C) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 37.7 A | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 2a | - | |||||
![]() | MBRM110LT3G | - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-216aa | MBRM110 | 肖特基 | Powermite | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 10 v | 365 mv @ 1 A | 500 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||
![]() | 1N3740 | - | ![]() | 7052 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | - | - | - | - | Rohs符合条件 | 1N3740-PX | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | 1N2230 | 44.1600 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2230 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | |||||||
![]() | MBRS3201T3G | 0.9600 | ![]() | 5475 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | MBRS3201 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 840 mv @ 3 a | 35 ns | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | R4000F | 0.1300 | ![]() | 7007 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-r4000ftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 4000 v | 6.5 V @ 200 ma | 500 ns | 5 µA @ 4000 V | -55°C〜150°C | 200mA | 30pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | HS2MAF-T | 0.1207 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 标准 | SMAF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-HS2MAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 182NQ030-1 | 27.7625 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 半粉 | 182nq | 肖特基 | PRM1-1 pak(pak)(pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 182NQ030-1SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 27 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 510 MV @ 180 A | 15 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | 180a | 7700pf @ 5V,1MHz | ||||
![]() | BAS16V-TP | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | BAS16 | 标准 | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 75 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | GP10J-4005HE3/54 | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | - | 1a | - | |||||||
![]() | 1N4448WS-HE3-18 | 0.0360 | ![]() | 2678 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 1N4448 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 720 mv @ 5 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 150mA | - | ||||
![]() | HERAF1008G C0G | - | ![]() | 6857 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | Heraf1008 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 10 A | 80 ns | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V,1MHz |
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