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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS84 | 0.1210 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SS84TR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
DB4J314K0R | - | ![]() | 9277 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | DB4J314 | 肖特基 | smini4-f3-b | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 30 V | 30mA(DC) | 1 V @ 30 mA | 1 ns | 300 NA @ 30 V | 125°c (最大) | ||||||
![]() | MBR3060CT | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | MBR3060 | 肖特基 | ITO-220 | - | 31-mbr3060ct | 过时的 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 750 MV @ 15 A | 100 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | R7200612XXOO | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | R7200612 | 标准 | DO-200AB,B-PUK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 1500 A | 13 µs | 50 ma @ 600 V | 1200a | - | ||||||
![]() | RS5J-T M6G | 0.1407 | ![]() | 2061 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | RS5J | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-RS5J-TM6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 5 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 46pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | BAS70-04B5000 | 0.0300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 100 na @ 50 V | 150°C | |||||
![]() | BAV70W-QF | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV70 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 100 v | 175ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C | ||||
![]() | UGF5JT-E3/45 | - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | UGF5 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 5 A | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||
![]() | RS2BAH | 0.1197 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-RS2BAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | E1HFS | 0.0220 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-E1HFSTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | RB058LAM100TR | 0.5100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB058 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB058LAM100TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 810 MV @ 3 A | 3 µA @ 100 V | 150°C | 3a | - | ||||
![]() | SBR20U50SLP-13 | 0.4704 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SBR20 | 超级障碍 | PowerDI5060-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 520 mv @ 20 a | 57 ns | 500 µA @ 50 V | -55°C〜125°C | 20a | 400pf @ 40V,1MHz | ||||
![]() | V7N103HM3/i | 0.6400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装,可润湿的侧面 | 2-vdfn | V7N103 | 肖特基 | DFN3820A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 660 mv @ 6 a | 330 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 2.2a | 860pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | 1T5G A1G | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | 1T5G | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SMMSD914T1G | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | SMMSD914 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | PS410825 | - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1 V @ 3000 A | 22 µs | 200 ma @ 800 V | 2500a | - | |||||||
![]() | VS-80-7626 | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 80-7626 | - | 112-VS-80-7626 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | P2500X-CT | 3.9011 | ![]() | 4 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P2500 | 雪崩 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P2500X-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 1.1 V @ 25 A | 1.5 µs | 10 µA @ 1.8 V | -55°C 〜175°C | 25a | - | ||||
![]() | RS1DF-T | 0.1037 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | 标准 | SMAF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-rs1df-ttr | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V,1MHz | |||||
S1M R3G | - | ![]() | 4125 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | S1M | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MUR160-E3/73 | - | ![]() | 1130 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | Mur160 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||
![]() | SBS004-TL-E | 0.1500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | SBS004 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||
ZHCS1000QTA | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ZHCS1000 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 425 mv @ 1 a | 12 ns | 100 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 25pf @ 30v,1MHz | |||||
MMSZ5221BQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MMSZ5221BQTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1438 | - | ![]() | 6570 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | VSHPS1438 | - | 112-VS-VSHPS1438 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR7545 | 20.8845 | ![]() | 9676 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MBR7545 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR7545GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 650 MV @ 75 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||
DSC08C065 | 3.4300 | ![]() | 1950年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO220AC(WX) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 31-DSC08C065 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 200 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 272pf @ 100mV,1MHz | |||||||
![]() | R7221207CSOO | - | ![]() | 6350 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | R7221207 | 标准 | DO-200AB,B-PUK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.65 V @ 1500 A | 5 µs | 50 ma @ 1200 V | 700a | - | ||||||
![]() | IDT06S6 0C | - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Infineon技术 | ThinQ!™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 6A(DC) | 280pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | Jan1n6625us/tr | 14.3400 | ![]() | 4533 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/585 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | a,平方米 | - | 150-JAN1N6625US/TR | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.75 V @ 1 A | 80 ns | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | - |
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