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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL9K460P3 | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Onmi | Stealth™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | ISL9K460 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 4a | 2.4 V @ 4 A | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | S4D20120A | 10.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | S4D2012 | SIC (碳化硅) | TO-220AC(TO-220-2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-S4D20120A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 20a | 721pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | SS210-E3/52T | 0.4400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS210 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 750 MV @ 1 A | 30 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||
![]() | 1N2431 | 102.2400 | ![]() | 8250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2431 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||
![]() | SF55-bulk | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SF55-ulk | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | CD4153-1 | - | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS4153-1 | 50 | ||||||||||||||||||||
![]() | byw56-tr | 0.6700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | Byw56 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | ||||
![]() | BAS70-07P6FILM | - | ![]() | 2796 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | BAS70 | 肖特基 | SOT-666 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 10 µA @ 70 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BA159GP-E3/73 | 0.5600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | V20K202-m3/i | 0.5082 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V20K202-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.02 V @ 20 A | 100 µA @ 200 V | -40°C〜165°C | 3.2a | 800pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | SK106C | 0.7555 | ![]() | 30 | 0.00000000 | MDD | SMC | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 肖特基 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 650 MV @ 10 A | 1 mA @ 60 V | 10a | 500pf @ 4V,1MHz | |||||||||
S12D | 4.2345 | ![]() | 1447 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 12a | - | ||||||||
![]() | CDBMT240L-HF | 0.1797 | ![]() | 2919 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | CDBMT240 | 肖特基 | SOD-123H | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 400 mv @ 2 a | 1 mA @ 40 V | -55°C〜100°C | 2a | 160pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | D1030N22TXPSA1 | 176.9067 | ![]() | 6736 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | D1030N22 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.11 V @ 10000 A | 40 mA @ 2200 V | -40°C〜160°C | 1030a | - | |||||
![]() | 60HFU-400 | 116.5650 | ![]() | 2574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | - | 到达不受影响 | 150-60HFU-400 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | -65°C〜175°C | - | - | |||||||||||
![]() | fepb16dthe3_a/p | 1.1550 | ![]() | 5197 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FEPB16 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | 1N5401G | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | Jan1n6941utk3/tr | 408.7950 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 肖特基 | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6941UTK3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 50 a | 5 ma @ 30 V | -65°C〜150°C | 150a | 7500pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | SE10DTG-M3/i | 1.1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | 标准 | SMPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.15 V @ 10 A | 3 µs | 15 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 2.9a | 67pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MBRB3045CTHE3/81 | - | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB30 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | NTE5912 | 10.3800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE5912 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.23 V @ 63 A | 12 ma @ 50 V | -65°C〜175°C | 20a | - | |||||||
![]() | SS310B | 0.3900 | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||
BAS16-QVL | 0.0193 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BAS16-QVLTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | QRS4506001 | - | ![]() | 2033 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 3-亮片 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 4500 v | 6.2 V @ 60 A | 230 ns | 1 ma @ 4500 V | -55°C〜150°C | 60a | - | ||||||
![]() | SRT14 A1G | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | SRT14 | 肖特基 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||
![]() | SUF4006 | 0.0780 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2721-SUF4006TR2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||
![]() | SK34 | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK34 | 肖特基 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 630 mv @ 3 a | 50 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BAS70-06-HF | 0.0460 | ![]() | 4351 | 0.00000000 | comchip技术 | BAS70-XX-HF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BAS70-06-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 200 na @ 50 V | -55°C〜125°C | ||||
![]() | RURP3015 | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1 V @ 30 A | 50 ns | 500 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | 30a | - | |||||
![]() | UFR8640 | 148.2150 | ![]() | 3048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | - | 到达不受影响 | 150-UFR8640 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 85 A | 100 ns | 30 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 85a | 180pf @ 10V,1MHz |
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