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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC5D066506Q | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | WNSC5 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D066506Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 201PF @ 1V,1MHz | ||||
![]() | SIDC03D60F6X1SA1 | - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC03 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 6 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 6a | - | |||
![]() | BAS21-AQ | 0.0333 | ![]() | 5200 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS21 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | R30615 | 49.0050 | ![]() | 6231 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-R30615 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BAS16-02VE6327 | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Infineon技术 | BAS16 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS16 | 标准 | PG-SC79-2-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | 1N2256A | 44.1600 | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2256A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 22a | - | |||||
![]() | 1N4935G | - | ![]() | 5559 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-1N4935GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | NRVBS540T3G | 0.8400 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | NRVBS540 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 5 a | 300 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||
![]() | SMD28HE-TP | - | ![]() | 3530 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-123H | SMD28 | 肖特基 | SOD-123HE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 850 mv @ 2 a | 500 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||
![]() | 1N1672R | 21.0000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准,反极性 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N1672R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 150 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||
![]() | 1N5821 | 0.5400 | ![]() | 514 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | Rohs不合规 | 2368-1N5821 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 3a | 190pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BAT754,215 | 0.0500 | ![]() | 1887年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,645 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 600 mv @ 100 ma | 2 µA @ 25 V | 125°c (最大) | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | 1SS4003TTE61 | - | ![]() | 7025 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-1SS4003TTE61TR | 过时的 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | US1B | 0.1208 | ![]() | 9521 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-us1btr | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 6A05-T | - | ![]() | 1742年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | R-6,轴向 | 6A05 | 标准 | R-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 900 mv @ 6 a | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | - | |||
![]() | BAS56/DG/B2215 | 0.0300 | ![]() | 7371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | BAT54FSTR | 0.0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | BAT54 | - | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-BAT54FSTR-488 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | BYP25K2 | 1.0184 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 按适合 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BYP25K2TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 25 A | 1.5 µs | 100 µA @ 200 V | -50°C〜215°C | 25a | - | ||||
![]() | 1N3297R | 102.2400 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N3297 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 1400 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||
![]() | JANTXV1N6941UTK3AS/TR | 563.4900 | ![]() | 1341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | SIC (碳化硅) | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6941UTK3AS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 50 a | 5 ma @ 30 V | -65°C〜175°C | 150a | 7500pf @ 5V,1MHz | ||||
![]() | BYM07-400HE3_A/H | - | ![]() | 9834 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AA() | BYM07 | 标准 | DO-213AA(GL34) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | BYM07-400HE3_B/H | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | MBRF1060HE3/45 | - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBRF106 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MBRF1060HE3_A/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||
![]() | 10A04-TP | 0.2565 | ![]() | 6606 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | R-6,轴向 | 10A04 | 标准 | R-6 | 下载 | 353-10A04-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 150pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BZX84C39Q | 0.0250 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C39QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | LL103A-GS08 | 0.4400 | ![]() | 6759 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | LL103 | 肖特基 | SOD-80最小 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 200mA | 50pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | CDSW19-G | 0.0667 | ![]() | 9515 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | CDSW19 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | - | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | R7202806XXOO | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | R7202806 | 标准 | DO-200AB,B-PUK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2800 v | 2.15 V @ 1500 A | 7 µs | 50 ma @ 2800 V | 600a | - | ||||
![]() | V1F22-M3/h | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | 肖特基 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 880 mv @ 1 a | 35 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | 1a | 75pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | NSVBASH19LT1G | 0.0572 | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | NSVBASH19 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NSVBASH19LT1GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -55°C 〜175°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |
1N5820U | - | ![]() | 5228 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 肖特基 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 100 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 3a | - |
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