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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-8ETU04STRLPBF | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 8ETU04 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@8A | 60纳秒 | 400V时为10μA | -65℃~175℃ | 8A | - | ||
![]() | R5011415XXZT | 136.9300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 包 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | R5011415 | 标准,反脊柱 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 7微秒 | 30毫安@1400伏 | -65℃~200℃ | 150A | - | ||||
![]() | NTE5903 | 12.1800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2368-NTE5903 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 500V | 1.23V@50A | 12毫安@500伏 | -65℃~175℃ | 16A | - | |||||
![]() | B290-13 | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | B290 | 肖特基 | 中小企业 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 790 毫伏 @ 2 安 | 7毫安@90伏 | -65℃~150℃ | 2A | 75pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | ES3JSMB | 0.3130 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 分段阅读_第2796章 | 8541.10.0000 | 48,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@3A | 30纳秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 3A | - | ||||
![]() | 村拉210T3G | 0.4400 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 村拉210 | 标准 | SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 940毫伏@2安 | 30纳秒 | 100V时为2μA | -65℃~175℃ | 2A | - | ||
![]() | S4D20120G | 6.4500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | S4D2012 | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 20A | 721pF @ 0V、1MHz | ||
| VS-25FR60 | 6.3700 | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 25FR60 | 标准,反脊柱 | DO-203AA (DO-4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.3V@78A | -65℃~175℃ | 25A | - | |||||
![]() | VS-10ETS12STRL-M3 | 0.8138 | ![]() | 8014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 10ETS12 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.1V@10A | 1200V时为50μA | -40℃~150℃ | 10A | - | |||
![]() | TST10H150CW | 1.2930 | ![]() | 8728 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通孔 | TO-220-3 | TST10 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 880 毫伏 @ 5 安 | 100 µA @ 150 V | -55℃~150℃ | 5A | - | |||
![]() | VS-1N3672A | - | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3672 | 标准 | DO-203AA (DO-4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 900伏 | 1.35V@12A | 900V时为700μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||
![]() | R7002603XXUA | - | ![]() | 2659 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-200AA、A-PUK | R7002603 | 标准 | DO-200AA、R62 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2600伏 | 2.15V@1500A | 9微秒 | 50毫安@2600伏 | -65℃~200℃ | 300A | - | |||
![]() | MBRH15030RL | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基,反 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 3毫安@30伏 | 150A | - | ||||||||
![]() | VS-20ETF10S-M3 | 1.5632 | ![]() | 3019 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 20ETF10 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.31V@20A | 400纳秒 | 100μA@1000V | -40℃~150℃ | 20A | - | ||
![]() | GI250-3-M3/54 | - | ![]() | 6710 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | GI250 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | |||||||||||||
| SB520-E3/73 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SB520 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 480毫伏@5安 | 20V时为500μA | -65℃~150℃ | 5A | - | ||||
![]() | MBR10200UPS-TP | - | ![]() | 6448 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | MBR10200 | 肖特基 | TO-277-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 880毫伏@10安 | 100μA@200V | -65℃~175℃ | 10A | - | |||
![]() | RB088LAM-40TFTR | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-RB088LAM-40TFTRCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 710 毫伏 @ 5 安 | 40V时为3.6μA | 150℃ | 5A | - | ||
| JAN1N5418美国/TR | 8.6550 | ![]() | 3287 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JAN1N5418美国/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 400V时为1μA | -65℃~175℃ | 3A | - | ||||
![]() | VS-MURB820-1PBF | - | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 穆尔布820 | 标准 | TO-262AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSMURB8201PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 975毫伏@8安 | 20纳秒 | 5μA@200V | -65℃~175℃ | 8A | - | |
![]() | BZX584B27VQ | 0.0290 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-BZX584B27VQTR | EAR99 | 8,000 | ||||||||||||||||
![]() | FR205G | 0.0701 | ![]() | 4241 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | FR20 | 标准 | DO-15 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@2A | 250纳秒 | 5μA@420V | -55℃~150℃ | 2A | 40pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | G3S12003H | 4.5600 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | 环球动力科技 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全包 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.7V@3A | 0纳秒 | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | 9A | 260pF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | 1N5822 | 0.4500 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 1N5822 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 525毫伏@3安 | 2毫安@40伏 | 150℃(最高) | 3A | - | |||
![]() | VS-2EAH02-M3/I | 0.5300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装,可湿侧面 | 2-偏氟苯 | VS-2EAH02 | 标准 | DFN3820A | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@2安 | 25纳秒 | 2μA@200V | -55℃~175℃ | 2A | - | |||
![]() | MBRS10150H | 0.5590 | ![]() | 2793 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MBRS10150 | 肖特基 | TO-263AB (D2PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-MBRS10150HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.05V@10A | 100 µA @ 150 V | -55℃~175℃ | 10A | - | |||
![]() | SK25_R1_00001 | 0.0567 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK25 | 肖特基 | SMB (DO-214AA) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 288,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 700毫伏@2安 | 90μA@50V | -55℃~150℃ | 2A | - | |||
![]() | JANS1N6642UBD/TR | 70.1804 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 标准 | UB | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANS1N6642UBD/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1.2V@100mA | 5纳秒 | - | - | 5pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | 1N1347R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N1347R | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 500V | 1.3V@30A | 500V时为10μA | -65℃~200℃ | 16A | - | |||
| 1N6662/TR | 11.1300 | ![]() | 8488 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/587 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 标准 | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N6662/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1V@400mA | 50nA@400V | -65℃~175℃ | 500毫安 | - |

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