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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VI20150SGHM3/4W | - | ![]() | 7859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | VI20150 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.6V@20A | 150V时为200μA | -55℃~150℃ | 20A | - | |||
![]() | MBRH30030RL | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-67 | 肖特基 | D-67 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 580毫伏@300安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | 300A | - | ||||||
![]() | SK33B-LTP | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK33 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 500毫伏@3安 | 30V时为500μA | -55℃~150℃ | 3A | - | |||
| 1N5712/TR | 6.3300 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 肖特基 | DO-35 (DO-204AH) | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N5712/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 20V | 1V@35mA | 150nA@16V | -65℃~150℃ | 75毫安 | 2pF@0V、1MHz | |||||
![]() | CDBA3150-HF | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | CDBA3150 | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 870 毫伏 @ 2 安 | 150V时为500μA | -50℃~175℃ | 3A | 250pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | BAT54/LF1R | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | 电池组54 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934069368215 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | SE20DG-M3/I | 1.2100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3,D²Pak(2引脚+片)变体 | SE20 | 标准 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.2V@20A | 3微秒 | 400V时为25μA | -55℃~175℃ | 3.9A | 150pF @ 4V、1MHz | ||
| STPSC15H12WL | 9.3300 | ![]() | 第635章 | 0.00000000 | 意法半导体 | ECOPACK®2 | 管子 | 的积极 | 通孔 | DO-247-2(直读) | STPSC15 | SiC(碳化硅)肖特基 | DO-247 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 497-17640 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.5V@15A | 0纳秒 | 1200V时为90μA | -40℃~175℃ | 15A | 1200pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | SB2H100-E3/73 | - | ![]() | 4634 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | SB2H100 | 肖特基 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 790 毫伏 @ 2 安 | 10μA@100V | -55℃~175℃ | 2A | - | |||
![]() | 1N6895UTK1CS | 259.3500 | ![]() | 7269 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-1N6895UTK1CS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | V5NL63-M3/I | 0.4400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、TMBS® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装,可湿侧面 | 2-偏氟苯 | V5NL63 | 肖特基 | DFN3820A | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 14,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 580 毫伏 @ 5 安 | 60V时为80μA | -40℃~150℃ | 2.4A | 840pF @ 4V、1MHz | |||||
![]() | RB060LAM-40TFTR | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RB060 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 40V时为100μA | 150℃(最高) | 2A | - | ||||
![]() | HERAF1007G C0G | - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2全包 | 赫拉夫1007 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@10A | 80纳秒 | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | 10A | 60pF @ 4V,1MHz | ||
| RS1DL 接地 | 0.1812 | ![]() | 8640 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | RS1D | 标准 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@800mA | 150纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 800毫安 | 10pF@4V,1MHz | |||
![]() | SD200SCU150A.T | 3.7571 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 托盘 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | SD200 | 肖特基 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 1655-1777 | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 920 毫伏 @ 60 安 | 1.5毫安@150伏 | -55℃~200℃ | 60A | 1500pF @ 5V、1MHz | ||
![]() | B0540WQ-7-F | 0.3800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | B0540 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 510 毫伏 @ 500 毫安 | 40V时为20μA | -65℃~150℃ | 500毫安 | 170pF @ 0V、1MHz | |||
![]() | JANTX1N6643US | 6.9300 | ![]() | 6855 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,D | 1N6643 | 标准 | D-5D | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 125V | 1.2V@100mA | 6纳秒 | 50nA@20V | -65℃~175℃ | 300毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | 1N1190R | 74.5200 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1190 | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 1N1190RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.4V@110A | 600V时为10μA | -65℃~175℃ | 35A | - | |||
![]() | PE2DB | 0.4600 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | - | 1(无限制) | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 900毫伏@2安 | 20纳秒 | 2μA@200V | -55℃~175℃ | 2A | 30pF @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | V20120S-E3/4W | 1.2500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | TMBS® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | V20120 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 120V | 1.12V@20A | 120V时为300μA | -40℃~150℃ | 20A | - | |||
![]() | FR1AAFC_R1_00001 | 0.0465 | ![]() | 第1571章 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 光纤 | FR1A | 标准 | SMAF-C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 120,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@1A | 150纳秒 | 50V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | S1PG-M3/85A | 0.0592 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | S1P | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@1A | 1.8微秒 | 400V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | 6pF@4V,1MHz | ||
![]() | RGL41MHE3_A/H | - | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,MELF(玻璃) | RGL41 | 标准 | DO-213AB | 下载 | REACH 不出行 | RGL41MHE3_B/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.3V@1A | 500纳秒 | 1000V时为5μA | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | VS-VS30EDR04L | - | ![]() | 9257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | VS30 | - | 112-VS-VS30EDR04L | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S4210 | 102.2400 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | REACH 不出行 | 150-S4210 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.2V@200A | 100V时为50μA | -65℃~200℃ | 125A | - | |||||
![]() | RF505TF6SFHC9 | 1.5300 | ![]() | 第937章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全包 | RF505 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@5A | 30纳秒 | 600V时为10μA | 150℃(最高) | 5A | - | ||
![]() | STPS1L40M | 0.6000 | ![]() | 1948年 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-216AA | STPS1 | 肖特基 | ST衍生物 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 460毫伏@1安 | 40V时为63μA | 150℃(最高) | 1A | - | |||
![]() | SK55C R7G | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SK55 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 750 毫伏 @ 5 安 | 50V时为500μA | -55℃~150℃ | 5A | - | |||
![]() | SBRD8350T4G-VF01 | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SBRD8350 | 肖特基 | DPAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 600毫伏@3安 | 50V时为200μA | -65℃~175℃ | 3A | - | |||
| VS-31DQ06 | - | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 31DQ06 | 肖特基 | C-16 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 620 毫伏 @ 3 安 | 2毫安@60伏 | -40℃~150℃ | 3.3A | - |

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