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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
6A100G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G A0G -
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ECAD 9082 0.00000000 台积电 - 胶带和盒子 (TB) 的积极 通孔 R-6,本体 6A100 标准 R-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 700 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1000伏 1V@6A 10μA@1000V -55℃~150℃ 6A 60pF @ 4V,1MHz
S12JC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S12JC M6 -
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ECAD 6800 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 DO-214AB、SMC 标准 DO-214AB(SMC) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1801-S12JCM6TR EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 600伏 1.1V@12A 600V时为1μA -55℃~150℃ 12A 78pF @ 4V、1MHz
PSDP30120S1_T0_00001 Panjit International Inc. PSDP30120S1_T0_00001 3.5500
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 PSDP30120 标准 TO-220AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PSDP30120S1_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.5V@30A 200纳秒 1200V时为250μA -55℃~150℃ 30A -
HFA15TB60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA15TB60S -
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ECAD 7087 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 海克斯弗雷德® 管子 过时的 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB HFA15 标准 TO-263AB (D²PAK) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.7V@15A 60纳秒 600V时为10μA -55℃~150℃ 15A -
MBR3100VPTR-G1 Diodes Incorporated MBR3100VPTR-G1 -
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ECAD 8750 0.00000000 分散公司 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 DO-201AA、DO-27、矫正 肖特基 DO-27 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 850毫伏@3安 100V时为500μA -65℃~150℃ 3A -
10ETF06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETF06S -
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ECAD 5768 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 10ETF06 标准 TO-263AB (D²PAK) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.2V@10A 145纳秒 100 µA @ 600 V -40℃~150℃ 10A -
FMN-1106S Sanken FMN-1106S 1.3000
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ECAD 4 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2全包 标准 TO-220F-2L 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FMN-1106S DK EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.3V@10A 100纳秒 100 µA @ 600 V -40℃~150℃ 10A -
SL44HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44HE3_B/I 0.4125
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ECAD 8087 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC SL44 肖特基 DO-214AB(SMC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 500毫伏@8安 40V时为500μA -55℃~125℃ 8A -
HER303G Yangjie Technology HER303G 0.1150
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ECAD 125 0.00000000 扬杰科技 - 胶带和盒子 (TB) 的积极 通孔 DO-201AD,缝合 标准 DO-201AD - 符合RoHS标准 REACH 不出行 4617-HER303GTB EAR99 1,250人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 950毫伏@3安 50纳秒 10μA@200V -55℃~150℃ 3A 80pF @ 4V,1MHz
NRVTS8100MFST3G onsemi NRVTS8100MFST3G -
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ECAD 8135 0.00000000 onsemi - 大部分 最后一次购买 NRVTS8100 - 488-NRVTS8100MFST3G 1
8AF1RPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8AF1RPP -
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ECAD 7225 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 大部分 过时的 结构,螺柱安装 B-47 8AF1 标准 B-47 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 *8AF1RPP EAR99 8541.10.0080 100 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100V 7毫安@100伏 -65℃~195℃ 50A -
S1AH Taiwan Semiconductor Corporation S1AH -
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ECAD 第1192章 0.00000000 台积电 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 标准 DO-214AC (SMA) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1801-S1AHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.1V@1A 1.5微秒 50V时为1μA -55℃~175℃ 1A 12pF@4V,1MHz
B0530WQ Yangjie Technology B0530WQ 0.3810
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ECAD 300 0.00000000 扬杰科技 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合RoHS标准 REACH 不出行 4617-B0530WQTR EAR99 3,000
SS3P3HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3/85A 0.1040
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ECAD 8627 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、eSMP® 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-220AA SS3P3 肖特基 DO-220AA(SMP) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 580毫伏 @ 3安 30V时为200μA -55℃~150℃ 3A 130pF @ 4V、1MHz
JANTXV1N6640/TR Microchip Technology JANTXV1N6640/TR 9.6824
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ECAD 7281 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/609 卷带式 (TR) 的积极 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 标准 DO-35 (DO-204AH) - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTXV1N6640/TR EAR99 8541.10.0070 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 50V 1V@200mA 4纳秒 50V时为100nA -65℃~175℃ 300毫安 -
JANTX1N6642US Microchip Technology JANTX1N6642US 7.2750
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ECAD 9517 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/578 大部分 的积极 表面贴装 SQ-MELF,D 1N6642 标准 D-5D 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 75V 1.2V@100mA 5纳秒 500nA@75V -65℃~175℃ 300毫安 5pF @ 0V、1MHz
UG2ABF Yangjie Technology UG2ABF 0.1060
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ECAD 500 0.00000000 扬杰科技 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合RoHS标准 REACH 不出行 4617-UG2ABFTR EAR99 5,000
PMEG2010BEV,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010BEV,115 0.0834
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ECAD 7326 0.00000000 安世半导体美国公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PMEG2010 肖特基 SOT-666 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 4,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 500毫伏@1安 20V时为200μA 150℃(最高) 1A 80pF@1V、1MHz
BZT52B4V7SQ Yangjie Technology BZT52B4V7SQ 0.0280
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ECAD 300 0.00000000 扬杰科技 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合RoHS标准 REACH 不出行 4617-BZT52B4V7SQTR EAR99 3,000
JAN1N5550US Microchip Technology JAN1N5550US -
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ECAD 3000 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 SIC停产 表面贴装 SQ-MELF,E 标准 D-5B 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.2V@9A 2微秒 1μA@200V -65℃~175℃ 3A -
1N5420US/TR Microchip Technology 1N5420美国/土耳其 11.3700
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ECAD 7562 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SQ-MELF,E 标准 D-5B - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-1N5420美国/TR EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.5V@9A 400纳秒 600V时为1μA -65℃~175℃ 3A -
BAT54WS-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54WS-E3-08 0.3800
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ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 电池组54 肖特基 SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 30V 800 毫伏 @ 100 毫安 5纳秒 2μA@25V 125℃(最高) 200毫安 10pF@1V、1MHz
FR12KR05 GeneSiC Semiconductor FR12KR05 7.0500
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ECAD 8803 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准,反脊柱 DO-4 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FR12KR05GN EAR99 8541.10.0080 250 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 800毫伏@12安 500纳秒 100V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
1N3290A Solid State Inc. 1N3290A 15.5000
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ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 的积极 柱螺安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 标准 DO-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 2383-1N3290A EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 300伏 1.2V@200A 300V时为50μA -65℃~200℃ 100A -
MMBD6050-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD6050-E3-08 0.0270
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ECAD 1857年 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBD6050 标准 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 15,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 70V 1.1V@100mA 4纳秒 50V时为100nA 150℃(最高) 200毫安 -
MBRA120ET3G onsemi MBRA120ET3G 0.4700
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ECAD 3854 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA MBRA120 肖特基 SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 530毫伏@1安 10μA@20V -55℃~150℃ 1A -
EGF1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1DHE3_A/H -
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ECAD 3413 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、Superectifier® 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 DO-214BA 关键生长因子1 标准 DO-214BA (GF1) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@1A 50纳秒 2μA@200V -65℃~175℃ 1A 15pF @ 4V,1MHz
BAS40T-7-F Diodes Incorporated BAS40T-7-F 0.4500
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ECAD 16 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-523 BAS40 肖特基 SOT-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 40V 1V@40mA 5纳秒 200nA@30V -55℃~125℃ 200毫安 5pF @ 0V、1MHz
MURA120T3G onsemi 村拉120T3G 0.4500
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ECAD 5882 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA 村拉120 标准 SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 875 毫伏 @ 1 安 35纳秒 2μA@200V -65℃~175℃ 1A -
VS-HFA08TB60S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB60S-M3 0.9800
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ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 海克斯弗雷德® 管子 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB HFA08 标准 TO-263AB (D²PAK) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 VS-HFA08TB60S-M3GI EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.1V@16A 55纳秒 5μA@600V -55℃~150℃ 8A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库