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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N6638U | 6.5700 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,E | 1N6638 | 标准 | D-5B | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.1V@200mA | 20纳秒 | 150V时为500nA | -65℃~175℃ | 300毫安 | 2.5pF @ 0V、1MHz | |||
![]() | JANTX1N5550US.TR | - | ![]() | 3430 | 0.00000000 | 森泰克公司 | MIL-PRF-19500/420 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | SQ-MELF | 标准 | - | 下载 | 600-JANTX1N5550US.TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1V@3A | 2微秒 | 1μA@200V | - | 5A | 92pF@5V,1MHz | |||||
| 1N5618美国/土耳其 | 6.7500 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 标准 | D-5A | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N5618美国/土耳其 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.3V@3A | 2微秒 | 500nA@600V | -65℃~200℃ | 1A | - | ||||
![]() | 巴斯70X | 0.0150 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-BAS70XTR | EAR99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | SL82-3G | 0.2241 | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SL82-3GTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 490 毫伏 @ 8 安 | 20V时为30μA | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||
![]() | NGTD17R120F2WP | - | ![]() | 7978 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | 死 | NGTD17 | 标准 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 1200伏 | 1.8V@35A | 1μA@1200V | 175℃(最高) | - | - | ||||
| NS8KT-7002HE3/45 | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | NS8 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@8A | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | 8A | 55pF @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BAS21E6433HTMA1 | 0.0495 | ![]() | 2022年 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS21 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.25V@200mA | 50纳秒 | 100nA@200V | 150℃(最高) | 250毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | JAN1N6630 | 13.2600 | ![]() | 5811 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 的积极 | 通孔 | E,结 | 1N6630 | 标准 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 900伏 | 1.4V@1.4A | 50纳秒 | 900V时为2μA | -65℃~150℃ | 1.4A | - | |||
![]() | S3705 | 61.1550 | ![]() | 6492 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-S3705 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5195UR/TR | - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/118 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA | - | 150-JANTXV1N5195UR/TR | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 180伏 | 1V@100mA | 1μA@200V | -65℃~175℃ | 200毫安 | - | ||||||||
![]() | ES1A | 1.0000 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 920毫伏@1安 | 15纳秒 | 5μA@50V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||
![]() | BYG10MHM3_A/H | 0.1601 | ![]() | 2261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 比格10 | 雪崩 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.15V@1.5A | 4微秒 | 1μA@1000V | -55℃~150℃ | 1.5A | - | ||
| JANTXV1N5420US/TR | 22.8600 | ![]() | 第1375章 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N5420US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.5V@9A | 400纳秒 | 600V时为1μA | -65℃~175℃ | 3A | - | ||||
![]() | FES16DTR | - | ![]() | 7973 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | FES16 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@8安 | 35纳秒 | 10μA@200V | -65℃~150℃ | 16A | 170pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | HS3D R6 | - | ![]() | 4151 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-HS3DR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@3A | 50纳秒 | 10μA@200V | -55℃~150℃ | 3A | 80pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | C4D02120E | 3.0200 | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D02120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | 167pF @ 0V、1MHz | |||
![]() | RS3AB-13 | - | ![]() | 1770 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | RS3A | 标准 | 中小企业 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@3A | 150纳秒 | 5μA@50V | -65℃~150℃ | 3A | 50pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | W3477MC400 | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | SIC停产 | 的 | DO-200AC、K-PUK | W3477 | 标准 | W54 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 238-W3477MC400 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 4000伏 | 1.34V@3000A | 38微秒 | 100毫安@4000伏 | -40℃~160℃ | 3470A | - | |
![]() | BYWB29-150-E3/45 | 0.6674 | ![]() | 7151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYWB29 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.3V@20A | 25纳秒 | 150V时为10μA | -65℃~150℃ | 8A | - | ||
![]() | UF4006GP-AP | 0.0408 | ![]() | 4599 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | UF4006 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@1A | 75纳秒 | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||
![]() | FR102A-G | 0.0420 | ![]() | 8007 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 641-FR102A-GTB | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@1A | 150纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 25pF@4V,1MHz | |||
| CGRBT201-HF | - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | 标准 | 2010/DO-214AC | 下载 | 1(无限制) | 641-CGRBT201-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1V@2A | 5μA@200V | -65℃~175℃ | 2A | 14pF@4V,1MHz | ||||||
![]() | BA158-E3/54 | 0.3400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | BA158 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@1A | 250纳秒 | 5μA@600V | -65℃~125℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | ||
![]() | DPG30I600AHA | 4.1980 | ![]() | 9229 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 的积极 | - | - | DPG30 | - | - | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 238-DPG30I600AHA | 30 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | AR4PJ-M3/86A | 0.4290 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.6V@4A | 140纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~175℃ | 2A | 77pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | MBRB1645-E3/45 | 1.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MBRB1645 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 630 毫伏 @ 16 安 | 45V时为200μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||
![]() | FR20K05 | 9.2895 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR20K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1V@20A | 500纳秒 | 800V时为25μA | -40℃~125℃ | 20A | - | |||
![]() | JAN1N645UR-1/TR | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/240 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JAN1N645UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 225伏 | 1V@400mA | -65℃~175℃ | 400毫安 | - | |||||
![]() | 1N2160 | 74.5200 | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | DO-5 (DO-203AB) | 下载 | REACH 不出行 | 150-1N2160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.19V@90A | 5微秒 | 50V时为10μA | -65℃~200℃ | 25A | - |

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