电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4004GA0 | - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4004 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1V@1A | 5μA@400V | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | |||
![]() | 1N4001GP-TP | 0.0408 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4001 | 标准 | DO-41 | 下载 | 353-1N4001GP-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 2微秒 | 5μA@50V | -55℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CD214B-B320LF | - | ![]() | 1568 | 0.00000000 | 伯恩斯公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | CD214B | 肖特基 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 500毫伏@3安 | 20V时为500μA | -55℃~125℃ | 3A | 250pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | VS-SD403C12S15C | 72.4000 | ![]() | 第1781章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 的 | DO-200AA、A-PUK | SD403 | 标准 | DO-200AA、A-PUK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.83V@1350A | 1.5微秒 | 35毫安@1200伏 | 430A | - | |||
![]() | 1N5811/TR | 7.4400 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 1N5811 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 第875章 毫伏@4安 | 30纳秒 | 150V时为5μA | -65℃~175℃ | 6A | - | ||
![]() | IDH05SG60CXKSA2 | 2.2767 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolSiC™+ | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | IDH05SG60 | SiC(碳化硅)肖特基 | PG-TO220-2-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 2.3V@5A | 0纳秒 | 600V时为30μA | -55℃~175℃ | 5A | 110pF@1V、1MHz | ||
![]() | PDS3100Q-7 | 0.2426 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | PowerDI™5 | PDS3100 | 肖特基 | PowerDI™5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 31-PDS3100Q-7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 760 毫伏 @ 3 安 | 100μA@100V | -65℃~150℃ | 3A | - | ||
![]() | SGL41-50-E3/97 | 0.3383 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | SGL41 | 肖特基 | GL41 (DO-213AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 700毫伏@1安 | 50V时为500μA | -55℃~150℃ | 1A | 80pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | F1857D1600 | 131.4720 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | 森萨塔-快达 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 安装结构 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.4V@165A | 55A | - | |||||||
![]() | 2CZ4005 R侧 | - | ![]() | 3918 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOD-123 | 2CZ4005 | 标准 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 5μA@600V | -55℃~150℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | MS105E3/TR12 | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | MS105 | 肖特基 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 690 毫伏 @ 1 安 | 50V时为100μA | -55℃~175℃ | 1A | - | ||||
![]() | 1F4-TP | - | ![]() | 1202 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | R-1,牙齿 | 1F4 | 标准 | R-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@1A | 150纳秒 | 5μA@400V | -55℃~150℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | |||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 射频103 | 标准 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@1安 | 20纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | 1A | - | ||
![]() | SS2P2HM3/84A | 0.1445 | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | SS2P2 | 肖特基 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 550毫伏@2安 | 150μA@20V | -55℃~150℃ | 2A | 110pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | 毛里求斯210 | - | ![]() | 4373 | 0.00000000 | onsemi | 切换模式™ | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 穆尔21 | 标准 | 结合 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 940毫伏@2安 | 30纳秒 | 100V时为2μA | -65℃~175℃ | 2A | - | ||
![]() | 300U120AGRG | - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | Vishay 半导体光电部门 | - | 大部分 | 过时的 | 结构,螺柱安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 300U120 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.4V@942A | 40毫安@1200伏 | -65℃~200℃ | 300A | - | |||
![]() | SL44HE3_B/H | 0.4125 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SL44 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@8安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 8A | - | |||
| EGP51G-E3/C | 1.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 埃GP51 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@5A | 50纳秒 | 5μA@400V | -65℃~175℃ | 5A | 48pF@4V,1MHz | |||
![]() | JANTX1N6911UTK2 | - | ![]() | 6393 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/723 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | ThinKey™2 | SiC(碳化硅)肖特基 | ThinKey™2 | - | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 30V | 540 毫伏 @ 25 安 | 1.2毫安@30伏 | -65℃~150℃ | 25A | ||||||
![]() | VS-85HFLR20S02 | 10.2464 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 85HFLR20 | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.75V@266.9A | 200纳秒 | 100μA@200V | -40℃~125℃ | 85A | - | ||
![]() | SR3200-TP | 0.1770 | ![]() | 6943 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SR3200 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 353-SR3200-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 900毫伏@3安 | 200V@200μA | -50℃~125℃ | 3A | - | |||||
![]() | SS14-61HE3J_B/H | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | SS14 | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@1安 | 40V时为200μA | -65℃~150℃ | 1A | - | |||
![]() | R504150TS | 158.8200 | ![]() | 7401 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-R504150TS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG3005ESFCYL | 0.0400 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 聚B二醇3005 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-PMEG3005ESFCYL-1727 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 6A4G-TP | 0.2900 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | R-6,本体 | 6A4G | 标准 | R-6 | 下载 | 353-6A4G-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1V@6A | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | 6A | 100pF @ 4V、1MHz | |||||
![]() | VS-80-7601 | - | ![]() | 第1422章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 80-7601 | - | 112-VS-80-7601 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S4230TS | 57.8550 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | 微芯片 | S42 | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | S4230 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.2V@200A | 300V时为50μA | -65℃~200℃ | 125A | - | ||||
![]() | STPST2H100AFY | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 意法半导体 | 汽车、AEC-Q101、ECOPACK®2 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | STPST2 | 肖特基 | SOD128平 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 805毫伏@2安 | 100V时为2.7μA | -40℃~175℃ | 2A | - | |||||
![]() | 1N3270R | 158.8200 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 1N3270 | 标准,反脊柱 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 1N3270RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 700伏 | 1.3V@300A | 75μA@700V | -65℃~190℃ | 275A | - | |||
| 1N5804USE3/TR | 10.2300 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 标准 | A、SQ-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N5804USE3/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 875 毫伏 @ 1 安 | 25纳秒 | 1μA@100V | -65℃~175℃ | 1A | 25pF@10V,1MHz |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库