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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4148WXL-TP | 0.1800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 1N4148 | 标准 | SOD-323FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 150mA | - | ||
![]() | RS1FLD-M3/h | 0.3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | 标准 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | SBT700-06RH-1EX | 1.0000 | ![]() | 6174 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | SBR545SAFQ-13 | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101,SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,sma平面线索 | 超级障碍 | SMAF | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 45 v | 560 mv @ 5 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||||
150KR60A | 39.4700 | ![]() | 1565年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.33 V @ 150 A | 35 ma @ 600 V | -40°C 200°C | 150a | - | ||||||
![]() | SR208-TP | 0.3800 | ![]() | 9290 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR208 | 肖特基 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 850 mv @ 2 a | 1 mA @ 80 V | -50°C〜125°C | 2a | 170pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | 1N1675 | 158.8200 | ![]() | 6930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N1675 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 400 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||||
![]() | S4D R7 | - | ![]() | 3744 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S4DR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 4 A | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V,1MHz | ||
JANTX1N6621US | 14.4600 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6621 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 440 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 NA @ 440 V | -65°C〜150°C | 2a | 10pf @ 10V,1MHz | |||
![]() | BAV21 | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAV21 | 标准 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175°c (最大) | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | CDLL4153 | 1.1571 | ![]() | 1091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | CDLL4153 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 880 mv @ 20 ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 150mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | VS-72HFR140 | 13.0328 | ![]() | 6061 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 72HFR140 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS72HFR140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.46 V @ 220 A | -65°C〜150°C | 70a | - | |||
![]() | SS110E-TP | - | ![]() | 2456 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (CT) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SS110 | 肖特基 | Smae | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 30pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | Jan1n3912a | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/308 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | LL101C-13 | - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | LL101 | 肖特基 | SOD-80最小 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 390 mv @ 1 mA | 1 ns | 200 na @ 30 V | 125°c (最大) | 30mA | 2.2pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | RF 1AV1 | - | ![]() | 3549 | 0.00000000 | 桑肯 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | 轴向 | RF 1 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 600 mA | 400 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 600mA | - | |||
![]() | JANS1N5712UBD | 161.1300 | ![]() | 9114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | 肖特基 | UB | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 16 V | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 V | -65°C〜150°C | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | FCQS20A065 | 1.5300 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 肖特基 | TO-220完整数 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 65 v | 630 MV @ 10 A | 1 mA @ 65 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||
![]() | ES3B-M3/57T | 0.2101 | ![]() | 6405 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3B | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 900 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | BYV10X-600PQ | 0.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | Byv10 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 10 A | 20 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 10a | - | |||
![]() | V5N103HM3/i | 0.5100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装,可润湿的侧面 | 2-vdfn | V5N103 | 肖特基 | DFN3820A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 710 MV @ 5 A | 210 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 2a | 560pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | cgrat102l-hf | - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | comchip技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 641-CGRAT102L-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | NRVA4003T3G | 0.4000 | ![]() | 8677 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | NRVA4003 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||
JANTXV1N5711-1/TR | 34.0800 | ![]() | 8546 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5711-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | CD214A-B160R | 0.3800 | ![]() | 158 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | CD214A | 肖特基 | 2-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | SR109HR0G | - | ![]() | 6685 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR109 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 1 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||
![]() | RB521ZS-308EPT2R | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB521 | 肖特基 | GMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB521ZS-308EPT2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 150°C | 100mA | - | ||
![]() | 10BQ060TR | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 10BQ060 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 62pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | NTE5895 | 9.9300 | ![]() | 74 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE5895 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.23 V @ 50 A | 12 ma @ 100 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||||
![]() | SIDC14D120H8X1SA1 | - | ![]() | 4299 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000481450 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.97 V @ 25 A | 20 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 25a | - |
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