SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SET130104 Semtech Corporation SET130104 -
RFQ
ECAD 2953 0.00000000 Semtech Corporation - 大部分 在sic中停产 焊接 模块 set130 标准 - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 15a -
RL102GP-AP Micro Commercial Co RL102GP-AP 0.0389
RFQ
ECAD 5167 0.00000000 微商业公司 - (TB) 积极的 通过洞 轴向 RL102 标准 A-405 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
UH1BHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1BHE3/5AT -
RFQ
ECAD 4781 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA UH1 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.05 V @ 1 A 30 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1a -
SD165SC150B.T SMC Diode Solutions SD165SC150B.T 2.8660
RFQ
ECAD 80 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 托盘 积极的 表面安装 SD165 肖特基 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1655-1769 Ear99 8541.10.0040 20 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 890 mv @ 30 a 1 ma @ 150 V -55°C 〜200°C 30a 1000pf @ 5V,1MHz
HER302G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER302G B0G -
RFQ
ECAD 4844 0.00000000 台湾半导体公司 - 大部分 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Her302 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
CD4148WD Microchip Technology CD4148WD 0.1350
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 标准 - 到达不受影响 150-CD4148WD Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1.2 V @ 100 ma 5 ns 500 NA @ 75 V -55°C 〜175°C 200mA -
1N5803E3 Microchip Technology 1N5803E3 6.0300
RFQ
ECAD 8360 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 轴向 标准 轴向 - 到达不受影响 150-1N5803E3 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 75 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
1N6492 Microchip Technology 1N6492 46.9800
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/567 大部分 积极的 通过洞 to-205af金属罐 1N6492 肖特基 to-205af(39) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 680 mv @ 4 a 2 ma @ 45 V -65°C〜175°C 3.6a 450pf @ 5V,1MHz
US2KA onsemi US2KA 0.5100
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA US2K 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1.5a 30pf @ 4V,1MHz
NSVBAS21HT1G onsemi NSVBAS21HT1G 0.3500
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 NSVBAS21 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 V -55°C〜150°C 200mA 5pf @ 0v,1MHz
STPS8H100G-TR STMicroelectronics STPS8H100G-Tr 1.1100
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS8 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-7571-1 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 710 MV @ 8 A 4.5 µA @ 100 V 175°c (最大) 8a -
MBRB1660-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1660-E3/81 1.4600
RFQ
ECAD 377 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB1660 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 MV @ 16 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C 16a -
1SR154-400TE25 Rohm Semiconductor 1SR154-400TE25 -
RFQ
ECAD 2352 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA 1SR154-400 标准 PMD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 150°C (最大) 1a -
RMPG06JHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3/54 -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
JAN1N3910R Microchip Technology Jan1n3910r -
RFQ
ECAD 6624 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/308 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 50 A 200 ns -65°C〜150°C 30a -
ES5DC-HF Comchip Technology ES5DC-HF 0.1604
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC ES5D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 641-ES5DC-HFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 5 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
CPW2-1200-S005B Wolfspeed, Inc. CPW2-1200-S005B -
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 Z-Rec® 管子 过时的 表面安装 SIC (碳化硅) - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 17.5a 455pf @ 0v,1MHz
VS-SD300C04C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD300C04C 48.0967
RFQ
ECAD 1111 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 夹紧 DO-200AA,A-PUK SD300 标准 DO-200AA,A-PUK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 2.08 V @ 1500 A 15 ma @ 400 V 650a -
VS-MBRB745TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB745TRL-M3 0.5595
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB745 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C 7.5a 400pf @ 5V,1MHz
ACFRA101-HF Comchip Technology ACFRA101-HF 0.0958
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA ACFRA101 标准 DO-214AC(SMA) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 641-ACFRA101-HFTR Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
APD245VD-G1 Diodes Incorporated APD245VD-G1 -
RFQ
ECAD 3469 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 APD245 肖特基 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 500 mv @ 2 a 500 µA @ 45 V -65°C〜125°C 2a -
1N914B_S62Z onsemi 1N914B_S62Z -
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N914B 标准 do-35 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 100 ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C 〜175°C 200mA 4pf @ 0v,1MHz
JANTX1N3164 Microchip Technology JANTX1N3164 -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/211 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.55 V @ 940 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 300A -
MBR5H150VPB-G1 Diodes Incorporated MBR5H150VPB-G1 -
RFQ
ECAD 3121 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 肖特基 DO-201-201 下载 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 920 MV @ 5 A 8 µA @ 150 V 175°c (最大) 5a -
GS1JFL-TP Micro Commercial Co GS1JFL-TP 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 GS1J 标准 DO-221AC(SMA-FL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
HER207G-AP Micro Commercial Co HER207G-AP 0.0625
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 微商业公司 - (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 Her207 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.7 V @ 2 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 2a 30pf @ 4V,1MHz
1N5627-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5627-TAP 1.0900
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5627 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
GI250-4-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-4-M3/73 -
RFQ
ECAD 1270 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 * (TB) 过时的 GI250 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000
FR3A SMC Diode Solutions FR3A -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC FR3 标准 SMC(do-214ab) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
1N4148 A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148 A0G 0.1900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 台湾半导体公司 - (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4148 标准 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 5,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 100 ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜150°C 150mA 4pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库