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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RS1FJ-M3/i | 0.0483 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | 标准 | DO-219AB(SMF) | 下载 | 到达不受影响 | 112-RS1FJ-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 5pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CDBW130-G | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CDBW130-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 1 a | 1 ma @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | TRS8E65H,S1Q | 2.7600 | ![]() | 395 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 264-TRS8E65H,S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.35 V @ 8 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°C | 8a | 520pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | FR103T/r。 | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | GPAS1007 | 0.5148 | ![]() | 4445 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-GPAS1007TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CSA2D-E3/h | - | ![]() | 6229 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CSA2 | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 2 A | 2.1 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 11pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | Her302Bulk | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER302BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N5397G | 0.0712 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 1N5397 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | BAS70-04Q | 0.0220 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BAS70-04QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | MSASC150H30LX/TR | - | ![]() | 6710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150H30LX/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | RHRP4120CC | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 400 | |||||||||||||||||
![]() | UF4003-E3/54 | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | UF4003 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | JANTXV1N6767R | - | ![]() | 1333 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) | 标准 | TO-254 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 12 A | 60 ns | 10 µA @ 480 V | - | 12a | 300pf @ 5V,1MHz | ||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 20a | 510pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | S3A-E3/9AT | 0.1539 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3A | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | GP10-4007EHE3/53 | - | ![]() | 3149 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SL13-M3/5AT | 0.0860 | ![]() | 7394 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SL13 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 445 mv @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1.5a | - | |||
![]() | SIDC08D60C8X1SA1 | - | ![]() | 2200 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC08 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | |||
![]() | TSP10H45S | 1.2100 | ![]() | 89 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | TSP10 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 570 mv @ 10 A | 150 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||
![]() | W1975MC680 | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | W1975 | 标准 | W54 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-W1975MC680 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6800 v | 3.95 V @ 4200 A | 45 µs | 100 ma @ 6800 V | -40°C〜150°C | 1975a | - | |
![]() | 5819SMGE3/TR13 | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 5819SM | 肖特基 | DO-215AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||
![]() | 1N3612/tr | 6.5250 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N3612/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||
![]() | ST60100 | 78.9000 | ![]() | 1882年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 标准 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-ST60100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 30 A | 10 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 20a | - | |||||
![]() | MR1130R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-MR1130R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 12 A | 500 µA @ 1000 V | -65°C 〜190°C | 12a | - | |||
![]() | S5340T | 158.8200 | ![]() | 4864 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-S5340T | 1 | ||||||||||||||||||
SS12LSH | 0.0972 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | SS12 | 肖特基 | SOD-123HE | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-SS12LSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 80pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | JAN1N6942UTK3 | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 肖特基 | Thinkey™3 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 460 mv @ 50 a | 5 ma @ 45 V | -65°C〜150°C | 150a | 7000pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | S4PG-BHM3_B/i | - | ![]() | 5634 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | S4PG | 标准 | TO-277A(SMPC) | - | 112-S4PG-BHM3_B/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 4 A | 2.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | RL106-N-0-4-AP | - | ![]() | 5420 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | 轴向 | RL106 | 标准 | A-405 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | RL106-N-0-4-APM | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||
JANS1N6638U/TR | 25.5002 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6638U/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 125 v | 1.1 V @ 200 ma | 4.5 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0v,1MHz |
每日平均RFQ量
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