SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20G-E3/TR3 0.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA byg20 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 1.5 A 75 ns 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a -
BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG20J-E3/TR3 0.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA byg20 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.4 V @ 1.5 A 75 ns 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1.5a -
BYG24G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24G-E3/TR3 0.1931
RFQ
ECAD 8276 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA byg24 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1.5 A 140 ns 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a -
RGP02-12E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-E3/73 0.5800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-16EHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-16EHE3/73 -
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1600 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-17E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-E3/73 -
RFQ
ECAD 5294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1700 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-18E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-18E-E3/73 -
RFQ
ECAD 8347 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1800 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1800 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-20E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-20E-E3/73 -
RFQ
ECAD 3887 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2000 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 2000 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10A-E3/73 -
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10AHE3/73 -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10B-E3/73 -
RFQ
ECAD 2009 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-E3/73 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-E3/73 -
RFQ
ECAD 4781 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHE3/73 -
RFQ
ECAD 6542 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10G-E3/73 -
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10GE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-E3/73 -
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-E3/73 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10MEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10Mehe3/73 -
RFQ
ECAD 7949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP15BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15BHE3/73 -
RFQ
ECAD 4348 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 RGP15 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1.5a -
RGP15GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15GHE3/73 -
RFQ
ECAD 4568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 RGP15 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a -
RGP15JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15JHE3/73 -
RFQ
ECAD 5630 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 RGP15 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1.5 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1.5a -
RGP15M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15M-E3/73 -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 RGP15 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1.5a -
RGP20B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20B-E3/73 -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 RGP20 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 2 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 2a -
RGP20J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20J-E3/73 -
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 RGP20 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 2 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 2a -
RGP20JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20JHE3/73 -
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 RGP20 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 2 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 2a -
RGP30JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30JHE3/73 -
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 RGP30 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
RGP30KHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30KHE3/73 -
RFQ
ECAD 1602 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 RGP30 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 3a -
RGP5020-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5020-E3/73 -
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 轴向 RGP50 标准 轴向 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v - 500mA -
RGP5100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100-E3/73 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 轴向 RGP51 标准 轴向 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v - 500mA -
RMPG06DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06DHE3/73 -
RFQ
ECAD 6751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库