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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VIT30L60C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT30L60C-M3/4W 1.1781
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT30L60 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 4 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VIT6045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT6045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT6045 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
UGE10CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE10CCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3926 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE10 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 150 V -40°C〜150°C
V10150CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10150CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3297 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V10150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.41 V @ 5 A 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C
V20100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100CHM3/4W -
RFQ
ECAD 2243 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 790 mv @ 10 a 800 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V20150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150C-M3/4W 0.8037
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C
V20M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20M100M-E3/4W 0.5145
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20M100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 1.02 V @ 10 A 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
V30120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3756 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V30120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V30120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30120C-M3/4W 1.8200
RFQ
ECAD 929 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V30150CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30150CHM3/4W -
RFQ
ECAD 4499 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V30150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.36 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C
V40120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V40120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 20a 880 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V40M120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V40M120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 20a 890 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜175°C
V60100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100C-M3/4W 2.8900
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V60100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 790 mv @ 30 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
V60H150PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60H150PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3 V60H150 肖特基 to-3pw - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 30a 930 MV @ 30 A 250 µA @ 150 V -40°C〜175°C
VB20M120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20M120C-E3/4W 0.7202
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20M120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 910 MV @ 10 A 700 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VB40100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100C-M3/4W 1.3540
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB40100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 730 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VB60120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB60120C-E3/4W 1.3860
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB60120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 30a 950 MV @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VBT1060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1060C-E3/4W 0.4493
RFQ
ECAD 5935 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT1060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VBT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-M3/4W 0.6791
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT1080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VBT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045CBP-M3/4W 0.9758
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT2045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 580 mv @ 10 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VBT2060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2060C-M3/4W 0.8443
RFQ
ECAD 7439 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT2060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 650 MV @ 10 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VBT3045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045CBP-M3/4W 1.2527
RFQ
ECAD 4338 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VBT3045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045C-M3/4W 1.2527
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VBT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4045C-M3/4W 1.6536
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT4045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VBT4060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4060C-E3/4W 1.2317
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT4060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 620 mv @ 20 a 6 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VBT4060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4060C-M3/4W 1.4578
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT4060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 620 mv @ 20 a 6 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VBT6045CBP-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT6045CBP-E3/4W 2.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT6045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VBT6045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT6045C-M3/4W 1.6536
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT6045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VE2045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE2045C-E3/45 -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VE2045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 700 mv @ 10 a 500 µA @ 45 V -40°C〜150°C
VE4045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE4045C-E3/45 -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 VE4045 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库