SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
DLA5P800UC-TRL IXYS DLA5P800UC-TRL 1.4859
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DLA5 标准 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 800 v 5a 1.18 V @ 5 A 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C
CMSSH-3C TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMSSH-3C TR PBFRE 0.6300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 CMSSH-3 肖特基 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 100mA(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 500 na @ 25 V -65°C〜150°C
UFT3010A Microchip Technology UFT3010A 62.1000
RFQ
ECAD 8100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 标准 TO-204AA(TO-3) - 到达不受影响 150-UFT3010A Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 100 v 30a 930 MV @ 15 A 35 ns 15 µA @ 100 V -65°C〜175°C
VS-20CWT10TR-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CWT10TR-E3 -
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 20cwt10 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1
CPT40145 Microsemi Corporation CPT40145 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 MD3CC 肖特基 MD3CC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 200a 570 mv @ 200 a 10 mA @ 45 V
MBRBL40100CT-TP Micro Commercial Co MBRBL40100CT-TP 1.9000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRBL40100 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 353-MBRBL40100CT-TPTR Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 40a 710 MV @ 20 A 80 µA @ 100 V -55°C〜150°C
CPT300100A Microsemi Corporation CPT300100A -
RFQ
ECAD 7836 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 100 v 150a 980 mv @ 200 a 4 mA @ 100 V
MBR2090CT onsemi MBR2090CT -
RFQ
ECAD 3442 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR2090 肖特基 TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 MBR2090CTOS Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 850 mv @ 10 A 100 µA @ 90 V -65°C〜175°C
MBRF2060CT onsemi MBRF2060CT -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 MBRF2060 肖特基 TO-220FP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 850 mv @ 10 A 150 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBRF10150CT SMC Diode Solutions MBRF10150CT 0.6300
RFQ
ECAD 481 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF1015 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1655-1097 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v - 930 MV @ 5 A 1 ma @ 150 V -55°C〜150°C
MSC2X31SDA070J Microchip Technology MSC2X31SDA070J 38.0700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 MSC2X31 - (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC2X31SDA070J Ear99 8541.10.0080 1
MBRB3045CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB3045CTTRR -
RFQ
ECAD 1905年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB30 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
VS-12CWQ10FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRLHM3 1.3599
RFQ
ECAD 9947 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 12CWQ10 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS12CWQ10FNTRLHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 6a 950 mv @ 12 a 1 mA @ 100 V 150°C (最大)
SBG2040CT-T-F Diodes Incorporated SBG2040CT-TF -
RFQ
ECAD 3200 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBG2040CT 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -65°C〜150°C
STPS16150CT STMicroelectronics STPS16150CT 2.5700
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPS16150 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 8a 920 MV @ 8 A 3 µA @ 150 V 175°c (最大)
MBR12045CT GeneSiC Semiconductor MBR12045CT 68.8455
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR12045 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1019 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 120A(DC) 650 mv @ 60 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
CMKD4448 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMKD4448 TR PBFRE 0.6500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 CMKD4448 标准 SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 3独立 75 v 250ma(dc) 1 V @ 100 ma 4 ns 25 na @ 20 V -65°C〜175°C
STPS1545CT STMicroelectronics STPS1545CT 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPS1545 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V 175°c (最大)
MBR25100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR25100CTH 1.0323
RFQ
ECAD 6746 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR25100 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-MBR25100CTH Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 25a 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C
DPG20C200PN IXYS DPG20C200PN 2.8100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 DPG20C200 标准 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.27 V @ 10 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
SBR20200CTFP Diodes Incorporated SBR20200CTFP 0.8926
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBR20200 超级障碍 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR20200CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 980 mv @ 10 ma 100 µA @ 200 V -65°C〜175°C
CMFSH-3I TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp cmfsh-3i tr tin/铅 -
RFQ
ECAD 5549 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-253-4,TO-253AA 肖特基 SOT-143 - rohs3符合条件 到达不受影响 1514-CMFSH-3ITRTIN/LEADTR Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <<200ma(io),任何速度 2独立 30 V 100mA(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 500 na @ 25 V -65°C〜150°C
BAS40-04 Yangjie Technology BAS40-04 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-BAS40-04TR Ear99 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对系列连接 40 V 200ma(dc) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V -55°C〜125°C
BAT54BR-G REG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54BR-G REG -
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAT54 肖特基 SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 2对系列连接 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C
DB3X316J0L Panasonic Electronic Components DB3X316J0L -
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DB3X316 肖特基 mini3-g3-b - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 100mA 550 mv @ 100 ma 800 ps 15 µA @ 30 V 125°c (最大)
FMEN-210B Sanken FMEN-210B 1.6200
RFQ
ECAD 430 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 肖特基 TO-220F 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FMEN-210B DK Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 920 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -40°C〜150°C
MBRF2535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2535CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
FST100100 GeneSiC Semiconductor FST100100 65.6445
RFQ
ECAD 3909 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST100100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 100a 840 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V
MBRB2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6411 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB25 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 15a 750 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
FFSH20120ADN-F155 onsemi FFSH20120ADN-F155 12.9000
RFQ
ECAD 433 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 FFSH20120 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 10A(DC) 1.75 V @ 10 A 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库