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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压连接到电流 -反向泄漏 @ @ vr	当前耦合到电压 -向前（ -vf）（最大） @如果
BAS40-05,235	1.0000	RFQ	3612	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	SOT-23	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		10 µA @ 40 V	150°C （最大）
FFSH40120ADN-F155	1.0000	RFQ	7700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3	FFSH40120	SIC （碳化硅）	TO-247长铅	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	20a	1.75 V @ 20 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
DD350N12K-K	162.8600	RFQ	162	Infineon技术	-	大部分	积极的	底盘安装	模块		标准	模块	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 1200 V	150°C
MBR1560CT	1.0000	RFQ	5560	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3		肖特基	TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	15a	900 mv @ 15 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
fya3010dntu	1.2300	RFQ	380	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		肖特基	to-3pn	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	1.05 V @ 30 A		1 mA @ 100 V	-65°C〜150°C
BAW74	0.0400	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW74	标准	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	7,612	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	50 V	200mA	1 V @ 100 ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150°C （最大）
MBR20100CTTU	-	RFQ	2674	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3		肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	800 mv @ 10 a		200 µA @ 100 V	150°C （最大）
5962-90538012a	40.8600	RFQ	35	Texas Instruments	*	大部分	积极的			5962-905			下载					Ear99	8541.10.0080	8
BAT854SW，115	-	RFQ	3726	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAT85			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BAS70-05,215	0.0200	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	SOT-23	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
BAS16VY125	-	RFQ	1429	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAS16			下载					Ear99	8541.10.0070	1
BAW56SRA147	1.0000	RFQ	7923	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAW56			下载						0000.00.0000	1
GHXS100B065S-D3	47.0100	RFQ	6856	semiq	-	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GHXS100	SIC （碳化硅）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1560-GHXS100B065S-D3	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	650 v	193a（DC）	1.65 V @ 100 A	0 ns	250 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
1PS70SB15,115	0.0300	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			1PS70			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BAW56,215	-	RFQ	2043	NXP半导体	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56	标准	SOT-23	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极		215ma（dc）	1.25		500	150°C （最大）	80	150
FFSH15120ADN-F155	7.3100	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	42	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	8A（DC）	1.75 V @ 8 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
1PS300,115	0.0300	RFQ	83	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			1PS30			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
fyp2006dntu	0.7300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3	FYP2006	肖特基	TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	412	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	20a	710 MV @ 20 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
NXPS20H110C，127	0.2800	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3		肖特基	TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	110 v	10a	770 mv @ 10 A		6 µA @ 110 V	175°c （最大）
BAS21AVD，165	-	RFQ	7489	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	SC-74，SOT-457	BAS21	标准	6-TSOP	-						0000.00.0000	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	3独立	200 v	200ma（dc）	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	150°C （最大）
MBR3030CTTU	-	RFQ	2349	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						-						0000.00.0000	1
BAS70-05235	0.0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装		BAS70	肖特基		下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
BAT74S135	-	RFQ	3420	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0070	1
BAV70S135	1.0000	RFQ	6730	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BAV70	标准	6-TSSOP	下载					Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2对普通阴极	100 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
MMBD4148CA	-	RFQ	5189	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	620	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	100 v	200mA	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C
UC1611J883B	26.1200	RFQ	13	Texas Instruments	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0080	1
BAV99QA，147	0.0300	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	表面安装	3-XDFN暴露垫	BAV99	标准	DFN1010D-3	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	90 v	170mA（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
UC1611L883B	39.8400	RFQ	109	单位树	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0080	8
RHRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		标准	TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	15a	2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
BAT754，215	0.0600	RFQ	11	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT754	肖特基	SOT-23	下载					Ear99	8541.10.0070	5,352	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	200ma（dc）	600 mv @ 100 ma		2 µA @ 25 V	125°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²