SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MSCDC200A70D1PAG Microchip Technology MSCDC200A70D1PAG 182.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 微芯片技术 - 盒子 积极的 底盘安装 模块 MSCDC200 SIC (碳化硅) D1P 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCDC200A70D1PAG Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1对系列连接 700 v 200a 1.8 V @ 200 A 0 ns 800 µA @ 700 V -40°C〜175°C
MSCDC200KK120D1PAG Microchip Technology MSCDC200KK120D1PAG 244.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 盒子 积极的 底盘安装 模块 MSCDC200 SIC (碳化硅) D1P 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCDC200KK120D1PAG Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 200a 1.8 V @ 200 A 0 ns 800 µA @ 1200 V -40°C〜175°C
MSCDC600A120AG Microchip Technology MSCDC600A120AG 658.7500
RFQ
ECAD 1744年 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 模块 MSCDC600 SIC (碳化硅) SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCDC600A120AG Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1对系列连接 1200 v 600a 1.8 V @ 600 A 0 ns 2.4 ma @ 1200 V -40°C〜175°C
BAV70 Rectron USA BAV70 0.0300
RFQ
ECAD 6307 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-BAV70TR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 70 V -55°C〜150°C
SCR5064RLRM onsemi SCR5064RLM 0.0900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 SCR5064 - rohs3符合条件 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
BAT54S Texas Instruments BAT54 1.0000
RFQ
ECAD 6358 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3(TO-236) 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200mA 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
MBR2050CT Fairchild Semiconductor MBR2050CT 0.5900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2050 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V - 800 mv @ 10 a 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
BAV70-ON onsemi BAV70-ON 0.0300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 70 v 200mA 1.25 V @ 150 mA 6 ns 5 µA @ 70 V 150°C
EMP11FHT2R Rohm Semiconductor EMP11FHT2R 0.1373
RFQ
ECAD 1895年 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SOT-563,SOT-666 EMP11 标准 EMD6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 NA @ 70 V 150°C (最大)
MSC2X50SDA070J Microchip Technology MSC2X50SDA070J 47.7600
RFQ
ECAD 70 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MSC2X50 SIC (碳化硅) SOT-227(ISOTOP®) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC2X50SDA070J Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 700 v 50A(DC) 1.8 V @ 50 A 0 ns 200 µA @ 700 V -55°C 〜175°C
APT2X30S20J Microchip Technology APT2X30S20J 24.1200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT2X30 肖特基 SOT-227(ISOTOP®) - (1 (无限) 到达不受影响 150-APT2X30S20J Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 45a 850 mv @ 30 a 55 ns 500 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MSC2X50SDA170J Microchip Technology MSC2X50SDA170J 118.9700
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 MSC2X50 - (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC2X50SDA170J Ear99 8541.10.0080 10
RURD15100 Harris Corporation RURD15100 1.0000
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1
NUR460P/L07112 NXP USA Inc. NUR460P/L07112 0.1400
RFQ
ECAD 169 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NUR460 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
BAV170235 NXP USA Inc. BAV170235 1.0000
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 1
MBR2545CT Fairchild Semiconductor MBR2545CT -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2545 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 214 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 25a 820 MV @ 25 A 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
SBT350-06J Sanyo SBT350-06J 2.3800
RFQ
ECAD 660 0.00000000 Sanyo - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 SBT350 肖特基 TO-220毫升 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 35a 600 mv @ 15 A 500 µA @ 30 V -55°C〜150°C
SB02W03C-TB-E onsemi SB02W03C-TB-E 0.1000
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 3,000
SB02-03C-TB-E onsemi SB02-03C-TB-E 0.1400
RFQ
ECAD 333 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 3,000
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D 5.1900
RFQ
ECAD 58 0.00000000 基因半导体 SIC SC Hottky MPS™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 GE2X8 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1242-GE2X8MPS06D Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 19a(dc) -55°C 〜175°C
SK3020CD2 Diotec Semiconductor SK3020CD2 0.7322
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK3020 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK3020CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 15a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 20 V -50°C〜150°C
SK30100CD2 Diotec Semiconductor SK30100CD2 0.9425
RFQ
ECAD 9205 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK30100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK30100CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 850 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -50°C〜150°C
SK4045CD2-3G Diotec Semiconductor SK4045CD2-3G 0.9848
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK4045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK4045CD2-3G 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 530 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -50°C〜150°C
BAT54A-AQ Diotec Semiconductor BAT54A-AQ 0.0363
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-bat54a-aqtr 8541.10.0000 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200mA 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜150°C
SK2080CD2 Diotec Semiconductor SK2080CD2 0.7534
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK2080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK2080CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 10a 850 mv @ 10 A 200 µA @ 80 V -50°C〜150°C
SK2060CD2 Diotec Semiconductor SK2060CD2 0.7534
RFQ
ECAD 4273 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SK2060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-SK2060CD2 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 700 mv @ 10 a 300 µA @ 60 V -50°C〜150°C
VS-C5TX3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C5TX3012-M3 2.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 C5TX3012 标准 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-C5TX3012-M3 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 3.3 V @ 15 A 44 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
BAV199W Diotec Semiconductor BAV199W 0.0358
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV199 标准 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 8541.10.0000 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 85 v 160mA 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 V -55°C〜150°C
BAS31R13 Diotec Semiconductor BAS31R13 0.0436
RFQ
ECAD 430 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS31 标准 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 90 v 200mA 1 V @ 200 MA 50 ns 100 NA @ 90 V -55°C〜150°C
MMBD4448SDW Diotec Semiconductor MMBD4448SDW 0.0583
RFQ
ECAD 24 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MMBD4448 标准 SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 8541.10.0000 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2对系列连接 75 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库