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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
SDT20100CTB-13 Diodes Incorporated SDT20100CTB-13 0.4188
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SDT20100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 710 MV @ 10 A 80 µA @ 100 V -55°C〜150°C
VS-6CVH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CVH02-M3/i 0.6100
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 6CVH02 标准 Slimdpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 3a 1.2 V @ 6 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
FME-220A Sanken FME-220A -
RFQ
ECAD 2622 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 - - - - - (1 (无限) FME-220A DK 过时的 0000.00.0000 1,000 - - - -
V10DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10DM100CHM3/i 1.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V10DM100 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 790 mv @ 5 a 100 µA @ 100 V -40°C〜175°C
V20DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM100CHM3/i 1.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V20DM100 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 820 mv @ 10 a 200 µA @ 100 V -40°C〜175°C
V20DM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM45C-M3/i 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V20DM45 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 620 MV @ 10 A 200 µA @ 45 V -40°C〜175°C
V20DM60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM60C-M3/i 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V20DM60 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 660 mv @ 10 a 600 µA @ 60 V -40°C〜175°C
V30DM150C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM150C-M3/i 1.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V30DM150 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.3 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -40°C〜175°C
V30DM150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM150CHM3/i 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V30DM150 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.3 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -40°C〜175°C
V30DM45CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM45CHM3/i 1.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V30DM45 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 15 A 700 µA @ 45 V -40°C〜175°C
BAV70W/SN/8F Nexperia USA Inc. BAV70W/SN/8F -
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV70 标准 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934660241135 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 100 v 175ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BAV70W/SN/8X Nexperia USA Inc. BAV70W/SN/8X -
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV70 标准 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934660241115 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 100 v 175ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
RB225NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB225NS-40FHTL 1.5500
RFQ
ECAD 370 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RB225 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 30a 630 MV @ 15 A 27.4 ns 500 µA @ 40 V 150°C (最大)
RB480Y-90FHT2R Rohm Semiconductor RB480Y-90FHT2R -
RFQ
ECAD 4725 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75-4,SOT-543 RB480 肖特基 EMD4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 90 v 100mA 690 mv @ 100 ma 5 µA @ 90 V 150°C (最大)
RBQ20BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ 20BM65AFHTL 1.2700
RFQ
ECAD 954 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ20 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 65 v 20a 630 MV @ 10 A 200 µA @ 65 V 150°C (最大)
RBQ20NS45AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20NS45AFHTL 1.2500
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RBQ20 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 650 MV @ 10 A 140 µA @ 45 V 150°C (最大)
DAN222WMFHTL Rohm Semiconductor DAN222WMFHTL 0.2700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SC-89,SOT-490 Dan222 标准 EMD3F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 NA @ 70 V 150°C (最大)
DAP222WMFHTL Rohm Semiconductor DAP222WMFHTL 0.3600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SC-89,SOT-490 DAP222 标准 EMD3F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 NA @ 70 V 150°C (最大)
RB095BM-40FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-40FHTL 0.9500
RFQ
ECAD 575 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RB095 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 6a 550 mv @ 3 a 11.4 ns 100 µA @ 40 V 150°C (最大)
RF2001NS2DFHTL Rohm Semiconductor RF2001NS2DFHTL 2.5300
RFQ
ECAD 114 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RF2001 标准 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 20a 930 MV @ 10 A 30 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大)
SBR3045CT Diodes Incorporated SBR3045CT 1.6100
RFQ
ECAD 1147 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR3045 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR3045CTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C
SBR60A150CT Diodes Incorporated SBR60A150CT -
RFQ
ECAD 5351 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBR60 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 30a 930 MV @ 30 A 500 µA @ 150 V -65°C〜175°C
MBRB10200CT-13 Diodes Incorporated MBRB10200CT-13 0.3906
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB10200 肖特基 TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 910 MV @ 5 A 100 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor UMN20NFHTR 0.1057
RFQ
ECAD 2795 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 UMN20 标准 UMD6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3独立 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 10 na @ 20 V 150°C (最大)
RB238T100HZC9 Rohm Semiconductor RB238T100HZC9 2.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB238 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 40a 860 mv @ 20 a 24.7 ns 20 µA @ 100 V 150°C (最大)
FERD20L60CTS STMicroelectronics FERD20L60CTS 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-3 Ferd20 (ferd (现场效应整流器二极管) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 575 mv @ 10 a 970 µA @ 60 V 150°C (最大)
FERD30L60CTS STMicroelectronics Ferd30l60cts 1.6700
RFQ
ECAD 1572年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 Ferd30 (ferd (现场效应整流器二极管) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17694 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 545 mv @ 15 A 820 µA @ 60 V 150°C (最大)
FEP16CT-5001HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16CT-5001HE3/45 -
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 16a 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEP16DT-33HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16DT-33HE3/45 -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 16a 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FES16CT-23HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16CT-23HE3/45 -
RFQ
ECAD 6837 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库