电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DD380N16AHPSA1 | 229.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD380N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1600 v | 380a | 1.4 V @ 1500 A | 25 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | DD380N16KHPSA1 | - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD380N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 380a | 1.4 V @ 1600 A | 25 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | DD82S08KHPSA1 | - | ![]() | 4461 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 ma @ 800 V | 150°C | |||||
![]() | DD104N14KKHPSA1 | - | ![]() | 2757 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1400 V | 150°C | |||||
![]() | DD500S33HE3BPSA1 | 975.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD500S33 | 标准 | AG-IHVB130-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | - | 3.85 V @ 500 A | 500 A @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | DDB6U145N16LHOSA1 | 170.6400 | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U145 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | - | 3独立 | 1600 v | - | 1.43 V @ 150 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||
DZ800S17K3HOSA1 | 214.8100 | ![]() | 1230 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ800S17 | 标准 | AG-62mm-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1700 v | - | 2.2 V @ 800 A | 780 A @ 900 V | -40°C〜125°C | |||||
![]() | DD400S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 1716年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | - | 3.5 V @ 400 A | 550 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | ||||
![]() | DD800S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 5695 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | - | 3.5 V @ 800 A | 1100 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | ||||
![]() | LDR11666 | - | ![]() | 7567 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 835-1193 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 660a(DC) | 1.4 V @ 1978 A | 50 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | LDR11866 | - | ![]() | 9413 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 835-1194 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 660a(DC) | 1.4 V @ 1978 A | 50 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | LDR11066 | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 660a(DC) | 1.4 V @ 1978 A | 50 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MF10H100CTHE3_B/p | 0.9405 | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MF10H100 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 5a | 850 mv @ 10 A | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | 1N6658 | 242.5050 | ![]() | 4915 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/616 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6658 | 标准 | TO-254 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | - | |||
![]() | 1N6660CCT1 | 183.2850 | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6660 | 肖特基 | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 750 MV @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | 1N6672R | 201.0900 | ![]() | 9651 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6672 | 标准 | TO-254 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 300 v | 15a | 1.35 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA @ 240 V | - | |||
![]() | 1N6673 | 185.8500 | ![]() | 3637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6673 | 标准 | TO-254 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 15a | 1.35 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA @ 320 V | - | |||
![]() | 1N6673R | 201.0900 | ![]() | 6801 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6673 | 标准 | TO-254 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 15a | 1.35 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA @ 320 V | - | |||
![]() | 1N6762R | 205.5600 | ![]() | 6460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA | 1N6762 | 标准 | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 12a | 1.05 V @ 12 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | - | |||
![]() | 1N6843CCU3 | 147.3150 | ![]() | 3470 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N6843 | 肖特基 | U3 (SMD-0.5) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 1.03 V @ 15 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | 1N4148UBCA | 27.0900 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N4148 | 标准 | UBC | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 75 v | 200mA | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C 〜200°C | |||
![]() | SDT20120CTFP | 0.6256 | ![]() | 9810 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SDT20120 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 880 mv @ 10 a | 80 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BAT54S_G | - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200mA | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | NRVTS660MFDT3G | 0.3417 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | Onmi | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | NRVTS660 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||
![]() | VS-20CTH03STRLHM3 | 1.4655 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 20CTH03 | 标准 | TO-263(D²Pak) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 10a | 1.25 V @ 10 A | 31 ns | 20 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | VS-C4ZU3006FP-E3 | - | ![]() | 4114 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | SC-94 | C4ZU30 | 标准 | to-3pf | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 15a | 1.87 V @ 30 A | 73 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | V30DL50CHM3_A/i | 1.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V30DL50 | 肖特基 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 15a | 570 mv @ 15 A | 1.8 ma @ 50 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | VB20M120CHM3/i | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB20m | 肖特基 | TO-263AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 910 MV @ 10 A | 700 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | VB30M120CHM3/i | - | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB30M | 肖特基 | TO-263AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 15a | 980 mv @ 15 A | 800 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | VB40100CHM3/i | - | ![]() | 4493 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB40100 | 肖特基 | TO-263AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 730 mv @ 20 a | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库