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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMB10G-G | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | MMB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 V @ 800 mA | 5 µA @ 1000 V | 800 MA | 单相 | 1 kV | |||||
![]() | KBPC2508-G | 9.9600 | ![]() | 482 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方,KBPC | KBPC2508 | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | TS25P01G C2G | - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS25P01 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | TS6P03G D2G | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS6P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | PAA9T9G01210 | - | ![]() | 3940 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PAA9T9 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | PDB2CD631215 | - | ![]() | 5782 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | ||||||||||||||||
![]() | PAA7T7201655 | - | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | ||||||||||||||||
![]() | PDB3ND410826 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | PDB3-ND410826 | 10 | |||||||||||||||
![]() | PDA7T7S00675 | - | ![]() | 3131 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDA7T7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | PDB1CD411299 | - | ![]() | 8615 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | ||||||||||||||||
![]() | PDA7R7S00608 | - | ![]() | 8064 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDA7R7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | VS-70MT160P-P | 38.1957 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | 70MT160 | 标准 | 12-MTP PressFit | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 105 | 75 a | 三期 | 1.6 kV | ||||
![]() | PDA9R9G01612 | - | ![]() | 7799 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDA9R9 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | PDA7T7R70645 | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDA7T7 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | DB105 bp | 1.0800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB105 | 标准 | DB-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | KBU806 | 0.8000 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- esip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 400 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | APTDF200H120G | 138.5800 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTDF200 | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 A | 150 µA @ 1200 V | 235 a | 单相 | 1.2 kV | ||
![]() | VS-KBPC806PBF | 4.3300 | ![]() | 865 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | VS-KBPC8 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,D-72 | KBPC806 | 标准 | D-72 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSKBPC806PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | |
KBU8B-E4/51 | 4.6900 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU8 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 100 V | 8 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | PT100KN16 | 168.0000 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1.23 V @ 100 A | 7 ma @ 1600 V | 100 a | 三期 | 1.6 kV | |||||
![]() | UD2KB80-bp | 0.1514 | ![]() | 1573年 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | 4-sip | UD2K | 标准 | D3K | 下载 | 353-ud2kb80 bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | MSB305S | 0.3600 | ![]() | 8920 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | MSB30 | 标准 | MSB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-MSB305STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 1.1 V @ 3 A | 1 µA @ 600 V | 3 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | GBI25K | 0.9675 | ![]() | 4203 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI25K | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 4.2 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | FUE30-12N1 | 22.9200 | ![]() | 842 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 | FUE30 | 标准 | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | FUE3012N1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 2.37 V @ 10 A | 100 µA @ 1200 V | 30 a | 单相 | 1.2 kV | |
![]() | sbr1f | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | - | - | SBR1 | 标准 | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 2 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | |||
KBU6D-E4/51 | 2.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBU804G | 0.4084 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBU804 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBU1008 | 0.4084 | ![]() | 8093 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBU1008 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBU6JL-6131E3/51 | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 a | 单相 | 600 v |
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