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桥梁整流器（（9069）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
RS403L	0.7800	RFQ	5017	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RS-4L		标准	RS-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RS403L	Ear99	8541.10.0080	1,500	1.05 V @ 4 A	2 µA @ 200 V	4 a	单相	200 v
W02G/1	-	RFQ	9559	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格		标准	沃格	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	1 V @ 1 A	5 µA @ 200 V	1.5 a	单相	200 v
DBL151G C1G	-	RFQ	6882	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	DBL151	标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 1.5 A	2 µA @ 100 V	1.5 a	单相	50 V
KBP10M	-	RFQ	1665年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	KBP1	标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	1 V @ 1 A	5 µA @ 1000 V	1.5 a	单相	1 kV
VUO68-16NO7	19.8500	RFQ	4570	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC1	VUO68	标准	Eco-PAC1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-vuo68-16no7	Ear99	8541.10.0080	25	1.5 V @ 60 A	40 µA @ 1600 V	68 a	三期	1.6 kV
DB155	0.3800	RFQ	3491	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）		标准	DB-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-DB155	Ear99	8541.10.0080	15,000	1 V @ 1.5 A	1 µA @ 600 V	1.5 a	单相	600 v
3N247-E4/45	-	RFQ	3910	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	3N247	标准	kbpm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	1 V @ 1 A	5 µA @ 100 V	1.5 a	单相	100 v
GBJ30D	1.1205	RFQ	7632	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ30D	Ear99	8541.10.0080	200	1.05 V @ 15 A	5 µA @ 200 V	30 a	单相	200 v
BR84	0.8910	RFQ	1683年	基因半导体	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-8		标准	BR-8	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		BR84GN	Ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 1 A	10 µA @ 400 V	8 a	单相	400 v
GBU10V06-TU	0.8400	RFQ	5	二极管合并	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-GBU10V06-TU	Ear99	8541.10.0080	20	920 MV @ 5 A	5 µA @ 600 V	10 a	单相	600 v
GBU6C-E3/45	-	RFQ	6095	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 6 A	5 µA @ 150 V	3.8 a	单相	150 v
GSIB2520N-M3/45	2.2333	RFQ	9498	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GSIB-5	GSIB2520	标准	GSIB-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1200	1 V @ 12.5 A	10 µA @ 200 V	25 a	单相	200 v
3N255-E4/51	-	RFQ	7930	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	3N255	标准	kbpm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 A	5 µA @ 200 V	2 a	单相	200 v
TS10KL100	0.5997	RFQ	9874	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbjl	TS10KL100	标准	kbjl	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 5 A	5 µA @ 1000 V	10 a	单相	1 kV
VS-130MT140KPBF	86.2540	RFQ	5014	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Mt-k模块	130MT140	标准	MT-K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS130MT140KPBF	Ear99	8541.10.0080	15			130 a	三期	1.4 kV
MD100S16M3-BP	72.0600	RFQ	60	微商业公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	M3	MD100	标准	M3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	60	1.9 V @ 300 A	300 µA @ 1600 V	100 a	三期	1.6 kV
GBU4M-BPC01	0.3868	RFQ	3288	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准	gbu	下载				353-GBU4M-BPC01	Ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 A	5 µA @ 1000 V	4 a	单相	1 kV
GBJ1502-G	-	RFQ	7821	comchip技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ		标准	GBJ	-				641-GBJ1502-G	Ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 7.5 A	10 µA @ 200 V	15 a	单相	200 v
GSIB2060-E3/45	2.8900	RFQ	1	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GSIB-5	GSIB2060	标准	GSIB-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 10 A	10 µA @ 600 V	3.5 a	单相	600 v
TS15P03G C2G	-	RFQ	2218	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	TS15P03	标准	TS-6P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15	1.1 V @ 15 A	10 µA @ 200 V	15 a	单相	200 v
PT75KN16	134.1500	RFQ	36	Kyocera avx	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	90	1.29 V @ 75 A	5 ma @ 1600 V	75 a	三期	1.6 kV
GBJ35B	1.6410	RFQ	1019	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ35B	Ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 100 V	35 a	单相	100 v
KBP306G C2	-	RFQ	8310	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP		标准	KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	1.1 V @ 3 A	10 µA @ 800 V	3 a	单相	800 v
GBJA801-bp	0.4399	RFQ	1274	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，JA	GBJA801	标准	JA	下载				353-GBJA801-bp	Ear99	8541.10.0080	1	1.1 V @ 4 A	10 µA @ 100 V	8 a	单相	100 v
MD50S08M4	22.0750	RFQ	600	Yangjie技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	M4	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MD50S08M4	Ear99		6	1.7 V @ 150 A	300 µA @ 800 V	50 a	三期	800 v
KBP005M	-	RFQ	3496	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	KBP0	标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	1 V @ 1 A	5 µA @ 50 V	1.5 a	单相	50 V
GBJ1008	0.6973	RFQ	3892	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	GBJ1008	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	15	1.1 V @ 10 A	5 µA @ 800 V	10 a	单相	800 v
3N250-M4/51	-	RFQ	9581	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	3N250	标准	kbpm	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	600	1 V @ 1 A	5 µA @ 600 V	1.5 a	单相	600 v
NTE53004	2.6300	RFQ	8	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-65°C〜125°C（TJ）				标准		下载	rohs3符合条件			2368-NTE53004	Ear99	8541.10.0080	1	1.1 V @ 5 A	10 µA @ 1000 V	10 a	单相	1 kV
GBU6B-E3/51	2.2100	RFQ	655	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 6 A	5 µA @ 100 V	3.8 a	单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

桥梁整流器（（9069）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²