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桥梁整流器（（9069）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
HBS410	0.5600	RFQ	1	SMC二极管解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准	HBS	下载	rohs3符合条件		到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	980 mv @ 4 a	5 µA @ 1000 V	4 a	单相	1 kV
GBU12A-T	1.5875	RFQ	4863	diotec半导体	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU		标准	gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBU12A-T		8541.10.0000	1,000	1 V @ 12 A	5 µA @ 50 V	8.4 a	单相	50 V
GBJ35005	1.0561	RFQ	5867	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	GBJ35005	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	15	1.1 V @ 35 A	5 µA @ 50 V	35 a	单相	50 V
RBV3510	2.8100	RFQ	900	EIC半导体公司	-	包	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准	RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV3510		8541.10.0000	100	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 1000 V	35 a	单相	1 kV
UG6KB20	0.2532	RFQ	7106	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	UG6KB20	标准	D3K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	35	1.1 V @ 6 A	5 µA @ 200 V	6 a	单相	200 v
APT50DF170HJ	35.8300	RFQ	139	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50DF170	标准	SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	2.2 V @ 50 A	250 µA @ 1700 V	50 a	单相	1.7 kV
kbu8a	-	RFQ	9846	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU8	标准	KBU	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	200	1 V @ 8 A	10 µA @ 50 V	8 a	单相	50 V
GBU4J	1.8100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准	gbu	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	1 V @ 4 A	5 µA @ 600 V	4 a	单相	600 v
GBPC2501W	2.5692	RFQ	1191	SMC二极管解决方案	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC2501	标准	GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 100 V	25 a	单相	100 v
KBP202	0.8500	RFQ	6	EIC半导体公司	-	包	积极的	-50°C〜125°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP		标准	KBP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-KBP202		8541.10.0000	100	1 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	2 a	单相	200 v
GBJ2001	0.8240	RFQ	1041	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	GBJ2001	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	15	1.1 V @ 20 A	5 µA @ 100 V	20 a	单相	100 v
UG3KB05G	0.1823	RFQ	7373	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-ESIP	UG3KB05	标准	D3K	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	35	1.1 V @ 3 A	5 µA @ 50 V	3 a	单相	50 V
DBL107GH	0.2394	RFQ	6083	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	DBL107	标准	DBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 1 A	2 µA @ 1000 V	1 a	单相	1 kV
KBL01-E4/51	2.2400	RFQ	1	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL01	标准	KBL	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	300	1.1 V @ 4 A	5 µA @ 100 V	4 a	单相	100 v
GBU6JL-5306M3/45	-	RFQ	1628年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准	gbu	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 6 A	5 µA @ 600 V	3.8 a	单相	600 v
GBPC25005W	2.6455	RFQ	8142	SMC二极管解决方案	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC25005	标准	GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 50 V	25 a	单相	50 V
RBV610	1.3100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准	RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV610		8541.10.0000	100	1 V @ 3 A	10 µA @ 1000 V	6 a	单相	1 kV
KBPC3510I	3.5642	RFQ	1490	diotec半导体	-	盒子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBPC		标准	4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC3510I		8541.10.0000	240	1.1 V @ 17.5 A	10 µA @ 1000 V	35 a	单相	1 kV
RBV1002	1.2800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准	RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV1002		8541.10.0000	100	1 V @ 5 A	10 µA @ 200 V	10 a	单相	200 v
KBL404G	0.5385	RFQ	1146	基因半导体	-	大部分	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL	KBL404	标准	KBL	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBL404GGN	Ear99	8541.10.0080	500	1.1 V @ 4 A	5 µA @ 400 V	4 a	单相	400 v
GBU15B	0.6120	RFQ	4357	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu15bgn	Ear99	8541.10.0080	500	1.1 V @ 15 A	5 µA @ 100 V	15 a	单相	100 v
kbpm304g	-	RFQ	8131	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm304ggn	Ear99	8541.10.0080	900	1.1 V @ 3 A	5 µA @ 50 V	3 a	单相	400 v
GBU15M	0.6120	RFQ	3489	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBU15MGN	Ear99	8541.10.0080	500	1.1 V @ 15 A	5 µA @ 1000 V	15 a	单相	1 kV
GBPC2506T	4.2000	RFQ	923	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2506	标准	GBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	1.1 V @ 12.5 A	5 µA @ 600 V	25 a	单相	600 v
kbpm208g	-	RFQ	8538	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm208ggn	Ear99	8541.10.0080	1,000	1.1 V @ 2 A	5 µA @ 50 V	2 a	单相	800 v
GBU4J	0.4725	RFQ	4987	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu4jgn	Ear99	8541.10.0080	500	1.1 V @ 4 A	5 µA @ 600 V	4 a	单相	600 v
BR1510W	1.0040	RFQ	5	Yangjie技术	-	大部分	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BR1510W	Ear99		50
kbpm306g	-	RFQ	1588年	基因半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准	kbpm	下载		（1 （无限）	到达不受影响	kbpm306ggn	Ear99	8541.10.0080	900	1.1 V @ 3 A	5 µA @ 50 V	3 a	单相	600 v
483-03	478.0950	RFQ	3423	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	底盘安装	我		标准	我	-			到达不受影响	2266-483-03	Ear99	8541.10.0080	1	1.3 V @ 39 A	1 µA @ 600 V	25 a	三期	600 v
D8JB60	0.3150	RFQ	90	Yangjie技术	-	管子	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-D8JB60	Ear99		900

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

桥梁整流器（（9069）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²