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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU4J | 0.4725 | ![]() | 4987 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu4jgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | kbpm208g | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm208ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | 2 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | BR1510W | 1.0040 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BR1510W | Ear99 | 50 | ||||||||||||||
![]() | kbpm306g | - | ![]() | 1588年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm306ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBP406A | 0.1610 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GBP406A | Ear99 | 2,100 | ||||||||||||||
![]() | MT5008A | 5.7350 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,MT-35A | 标准 | MT-35A | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MT5008A | Ear99 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 50 a | 三期 | 800 v | ||||
![]() | MD50H16FJ | 10.4908 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | fj | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD50H16FJ | Ear99 | 25 | 1.4 V @ 100 A | 1 ma @ 1600 V | 50 a | 单相 | 1.6 kV | ||||
![]() | GBU8JL-5700E3/51 | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | ABS10 | 0.0440 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-ABS10TR | Ear99 | 4,000 | ||||||||||||||
![]() | G3SBA20-E3/45 | 0.7722 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | G3SBA20 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 200 V | 2.3 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | KBPC10/15/2502WP | 2.5227 | ![]() | 3 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC WP | 标准 | KBPC WP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC10/15/2502WP | 8541.10.0000 | 160 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | ||||
APT50DF170HJ | 35.8300 | ![]() | 139 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT50DF170 | 标准 | SOT-227(ISOTOP®) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 2.2 V @ 50 A | 250 µA @ 1700 V | 50 a | 单相 | 1.7 kV | |||
![]() | GBJ35005 | 1.0561 | ![]() | 5867 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBJ35005 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 35 A | 5 µA @ 50 V | 35 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | GBU1508 | 0.4678 | ![]() | 2132 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBU1508 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBJ1501 | 0.7797 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBJ1501 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 100 V | 15 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | GBJ2004 | 0.8320 | ![]() | 8616 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | GBJ2004 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 400 V | 20 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | UG6KB20 | 0.2532 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | UG6KB20 | 标准 | D3K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | RBV3510 | 2.8100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | KBP308 | 0.4700 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 500 | 1.05 V @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | RBV610 | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV610 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | GBPC25005W | 2.6455 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | (TB) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC25005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | GBU6JL-5306M3/45 | - | ![]() | 1628年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | B380C3700A | 1.5341 | ![]() | 4732 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B380C3700A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 800 V | 2.7 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | GBJ10J | 0.8300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | GBJ(5s) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBJ10J | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | PDA6T6R61620 | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDA6T6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 10 | |||||||||||||||
![]() | MD75S18M2 | 23.8413 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | M2 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD75S18M2 | Ear99 | 8 | 1.6 V @ 150 A | 300 µA @ 1800 V | 75 a | 三期 | 1.8 kV | ||||
![]() | DB206S | 0.1230 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-DB206STR | Ear99 | 1,500 | ||||||||||||||
![]() | RBV1002 | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1002 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBU8DL-6903E3/51 | - | ![]() | 5324 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 200 V | 3.9 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | VBO22-14NO8 | - | ![]() | 6390 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fo-b | VBO22 | 标准 | fo-b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 2.2 V @ 150 A | 300 µA @ 1400 V | 21 a | 单相 | 1.4 kV |
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