SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JAN1N5283-1 Microchip Technology 1月1N5283-1 31.5150
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5283 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDS5312UR-1/TR Microchip Technology CDS5312UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6942 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS53 - 到达不受影响 150-CDS5312UR-1/TR 50
JANHCA1N5292 Microchip Technology Janhca1n5292 -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5292 Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CD5299B Microchip Technology CD5299B 19.2450
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD529 - - 到达不受影响 150-CD5299B 1 100V 1.32mA 1.45V
1N5305UR-1/TR Microchip Technology 1N5305UR-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5305 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5305UR-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
1N5312/TR Microchip Technology 1N5312/tr 18.7950
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5312 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5312/tr 100 100V 4.29mA 2.6V
CD5304 Microchip Technology CD5304 19.2450
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD530 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5304 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.98mA 1.75V
JAN1N5299-1/TR Microchip Technology Jan1n5299-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 2073 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5299 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5299-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
CD5283 Microchip Technology CD5283 19.2450
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD528 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5283 Ear99 8541.10.0040 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5308UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5308UR-1 40.8000
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5308 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.97mA 2.15V
JANS1N5308-1 Microchip Technology JANS1N5308-1 99.8700
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5308 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.97mA 2.15V
CDLL255/TR Microchip Technology CDLL255/tr 28.5000
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL25 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 150-CDLL255/tr 100 60V 9.02mA 5.9V
JANS1N5304-1/TR Microchip Technology JANS1N5304-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5304-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANTXV1N5302UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5302UR-1 40.6350
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5302 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.65mA 1.6V
1N5306/TR Microchip Technology 1N5306/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5306 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5306/tr 100 100V 2.42mA 1.95V
1N5284UR-1/TR Microchip Technology 1N5284ur-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5284 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5284ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
1N5298UR-1/TR Microchip Technology 1N5298ur-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5298 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5298ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.21ma 1.4V
1N5299-1 Microchip Technology 1N5299-1 18.6000
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5299 500MW do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANTXV1N5303UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5303UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 9181 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5303 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5303UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
JANTXV1N5289-1 Microchip Technology JANTXV1N5289-1 36.4050
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5289 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5289UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5289UR-1 -
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5289 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5309E3/TR Microchip Technology 1N5309E3/tr 18.9900
RFQ
ECAD 4906 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5309 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5309E3/tr 100 100V 3.3mA 2.25V
JAN1N5285-1 Microchip Technology Jan1n5285-1 35.0250
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5285 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5301UR-1 Microchip Technology JANS1N5301UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5301 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
1N5283UR-1 Microchip Technology 1N5283UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5283 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5287UR-1 Microchip Technology Jan1n5287ur-1 36.4350
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5287 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5284-1 Microchip Technology JANTXV1N5284-1 36.4050
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5284 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTX1N5300-1/TR Microchip Technology JANTX1N5300-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5300 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5300-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
JANS1N5306UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5306UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7784 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5306UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
1N5301/TR Microchip Technology 1N5301/tr 18.7950
RFQ
ECAD 9425 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜175°C - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5301 475MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5301/tr 100 100V 1.54mA 1.55V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库