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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jankca1n5297 | - | ![]() | 2331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5297 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||
![]() | jankca1n5308 | - | ![]() | 6975 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5308 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
![]() | CDLL5305E3/tr | 25.4850 | ![]() | 5880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5305E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | jankca1n5290 | - | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5290 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | JANS1N5291UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | JANTX1N5307UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 6790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5307 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5307UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
![]() | JANTXV1N5294-1/TR | 36.5700 | ![]() | 4823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5294-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | JANS1N5307-1/TR | 100.0200 | ![]() | 1196 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | |||
![]() | 1N5310ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 9457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5310 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5310ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
![]() | CD5283 | 19.2450 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5283 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||||
![]() | 1N5313-1 | 21.6600 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5313-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | CD5300 | 19.2450 | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5300 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||||
![]() | JANTX1N5300UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 7229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5300 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5300UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | CDLL5283/tr | 25.2900 | ![]() | 9139 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5283/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | CDLL5302/tr | 25.2900 | ![]() | 1601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5302/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
![]() | JANS1N5289-1/TR | 100.0200 | ![]() | 3736 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5289-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||
![]() | 1N7048-1/tr | 7.3650 | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 1N7048 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N7048-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||
![]() | JANTX1N5306-1/TR | 34.1550 | ![]() | 8044 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5306-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
![]() | Jan1n5296-1/tr | 31.6650 | ![]() | 7215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5296-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
![]() | Jan1n5301-1/tr | 31.6650 | ![]() | 5286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | CDLL5309/TR | 25.2900 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5309/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | CDLL5297/tr | 22.3500 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5297/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
![]() | JANTX1N5300-1/TR | 34.1550 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | JANTXV1N5301-1/TR | 36.5700 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | JANS1N5305UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 2982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5305UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||
![]() | JANS1N5313-1/TR | 100.0200 | ![]() | 4008 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5313-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||
1N5306E3/tr | - | ![]() | 5427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5306 | 500MW | DO-35(do-204AH) | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||||
![]() | CDS5298UR-1/TR | - | ![]() | 9999 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5298ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDLL7049 | 68.1450 | ![]() | 6915 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7049 | 1 | ||||||||||||||
![]() | 1N5301/tr | 18.7950 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301/tr | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V |
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