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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1月1N5283-1 | 31.5150 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | CDS5312UR-1/TR | - | ![]() | 6942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5312UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
![]() | Janhca1n5292 | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5292 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||
![]() | CD5299B | 19.2450 | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5299B | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
![]() | 1N5305UR-1/tr | 22.0050 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5305 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5305UR-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | 1N5312/tr | 18.7950 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5312/tr | 100 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||||
![]() | CD5304 | 19.2450 | ![]() | 2701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5304 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||||
![]() | Jan1n5299-1/tr | 31.6650 | ![]() | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5299-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | CD5283 | 19.2450 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5283 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||||
![]() | JANTXV1N5308UR-1 | 40.8000 | ![]() | 4205 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
![]() | JANS1N5308-1 | 99.8700 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5308 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||
![]() | CDLL255/tr | 28.5000 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL255/tr | 100 | 60V | 9.02mA | 5.9V | |||||
![]() | JANS1N5304-1/TR | 100.0200 | ![]() | 5647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5304-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
![]() | JANTXV1N5302UR-1 | 40.6350 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5302 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
![]() | 1N5306/tr | 18.7950 | ![]() | 4303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5306/tr | 100 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||||
![]() | 1N5284ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 8107 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5284ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | 1N5298ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 3847 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5298 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5298ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
![]() | 1N5299-1 | 18.6000 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
![]() | JANTXV1N5303UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 9181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5303 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5303UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
![]() | JANTXV1N5289-1 | 36.4050 | ![]() | 8806 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | JANTXV1N5289UR-1 | - | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | 1N5309E3/tr | 18.9900 | ![]() | 4906 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5309E3/tr | 100 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
![]() | Jan1n5285-1 | 35.0250 | ![]() | 2611 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
![]() | JANS1N5301UR-1 | 130.1550 | ![]() | 1849年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
![]() | 1N5283UR-1 | 21.8250 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5283 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
![]() | Jan1n5287ur-1 | 36.4350 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5287 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||
![]() | JANTXV1N5284-1 | 36.4050 | ![]() | 7234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5284 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | JANTX1N5300-1/TR | 34.1550 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | JANS1N5306UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 7784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5306UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||
![]() | 1N5301/tr | 18.7950 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301/tr | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V |
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