电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV1N5291UR-1 | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5291 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | Jan1n5293ur-1 | 36.6900 | ![]() | 6944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
![]() | CDLL5291 | 25.0950 | ![]() | 3456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | JANTXV1N5310-1 | 36.4050 | ![]() | 7856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
![]() | JANS1N5291UR-1 | 130.1550 | ![]() | 5608 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5291 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | CDLL7054/tr | 68.3250 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7054/tr | 100 | ||||||||||||||
![]() | 1N5292/tr | 21.8400 | ![]() | 3782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5292 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5292/tr | 100 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||
![]() | CDLL255/tr | 28.5000 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL255/tr | 100 | 60V | 9.02mA | 5.9V | |||||
1N5283-1/tr | 18.6900 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5283 | 500MW | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5283-1/tr | 100 | 100V | 242µA | 1V | ||||||
![]() | 1N5309E3 | 18.7950 | ![]() | 5439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5309E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
![]() | CDS5283UR-1/tr | - | ![]() | 9656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5283UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
![]() | 1N5306/tr | 18.7950 | ![]() | 4303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5306/tr | 100 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |||||
![]() | 1N5301/tr | 18.7950 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301/tr | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||
![]() | CDS5297UR-1 | - | ![]() | 4260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297UR-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | Janhca1n5302 | - | ![]() | 3785 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5302 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | |||
![]() | JANTX1N5291UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 4198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5291 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | JANS1N5291UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5291UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | JANTX1N5303UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 4028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5303 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5303UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
![]() | CDLL5313E3/tr | 25.4850 | ![]() | 3401 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5313E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | JANS1N5299UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
![]() | Janhca1n5284 | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5284 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
![]() | Janhca1n5309 | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5309 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||
![]() | JANTX1N5290-1/TR | 34.1550 | ![]() | 6579 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5290-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | 1N5307/tr | 18.7950 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5307/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
![]() | Janhca1n5297 | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5297 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||
![]() | JANS1N5284-1/TR | 100.0200 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5284-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | |||
![]() | CD5294 | 19.2450 | ![]() | 7369 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5294 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||||
![]() | JANTX1N5284-1/TR | 35.1750 | ![]() | 7060 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5284 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5284-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | JANTXV1N5283-1/TR | 36.5700 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5283-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | JANTXV1N5292-1/TR | 36.5700 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5292 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5292-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库