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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANTX1N5300-1/TR Microchip Technology JANTX1N5300-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5300 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5300-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
1N5314/TR Microchip Technology 1N5314/tr 18.8100
RFQ
ECAD 1957年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5314 500MW DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5314/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 5.17mA 2.9V
CD5296 Microchip Technology CD5296 19.2450
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD529 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5296 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.001mA 1.29V
CD5306 Microchip Technology CD5306 19.2450
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD530 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5306 Ear99 8541.10.0040 1 100V 2.42mA 1.95V
JANHCA1N5299 Microchip Technology Janhca1n5299 -
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5299 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANTX1N5284-1/TR Microchip Technology JANTX1N5284-1/TR 35.1750
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5284 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5284-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5283-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5283-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5283 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5283-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANKCA1N5285 Microchip Technology jankca1n5285 -
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5285 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5293-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5293-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 1573年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5293 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5293-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANTXV1N5292-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5292-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5292-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JAN1N5304-1/TR Microchip Technology Jan1n5304-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5304 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5304-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANTX1N5284UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5284UR-1/TR 38.4300
RFQ
ECAD 5941 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5284 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5284UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANS1N5290UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5290UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 8143 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5290UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JAN1N5293UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5293ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5293 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5293UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JAN1N5300UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5300ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 1515年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5300 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5300UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
1N5283UR-1/TR Microchip Technology 1N5283UR-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5283 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5283UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANHCA1N5301 Microchip Technology Janhca1n5301 -
RFQ
ECAD 1894年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5301 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
JANHCA1N5304 Microchip Technology Janhca1n5304 -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5304 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
CD5299 Microchip Technology CD5299 19.2450
RFQ
ECAD 1570年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD529 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5299 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.32mA 1.45V
JANHCA1N5285 Microchip Technology Janhca1n5285 -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5285 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
CD5304 Microchip Technology CD5304 19.2450
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD530 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5304 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.98mA 1.75V
JANKCA1N5283 Microchip Technology jankca1n5283 -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5283 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDLL5304/TR Microchip Technology CDLL5304/tr 25.2900
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5304/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 1.98mA 1.75V
JAN1N5290UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5290ur-1/tr 24.2100
RFQ
ECAD 2111 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5290 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5290UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANTXV1N5296-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5296-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5296 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5296-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.001mA 1.29V
JAN1N5297UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5297ur-1/tr 37.2000
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5297 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5297UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5306-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5306-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5306 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5306-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANTXV1N5302UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5302UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 4012 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5302 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5302UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.65mA 1.6V
JANTXV1N5312-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5312-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5312 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5312-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
1N5295UR-1/TR Microchip Technology 1N5295UR-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5295UR-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库