SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
1N5307/TR Microchip Technology 1N5307/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5307 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5307/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
JAN1N5296-1 Microchip Technology 1月1N5296-1 31.5150
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5296 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.001mA 1.29V
JAN1N5286UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5286ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 6609 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5286 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5286UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
1N5292/TR Microchip Technology 1N5292/tr 21.8400
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜175°C - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 475MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5292/tr 100 100V 682µA 1.13V
JANTXV1N5305-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5305-1/TR 36.6300
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5305 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5305-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JANS1N5290UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5290UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 8143 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5290UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANTX1N5295UR-1 Microchip Technology JANTX1N5295UR-1 38.2650
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
1N5290-1 Microchip Technology 1N5290-1 18.6000
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5290 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JAN1N5297UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5297ur-1/tr 37.2000
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5297 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5297UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5302UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5302UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 4012 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5302 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5302UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.65mA 1.6V
CDLL257 Microchip Technology CDLL257 28.3200
RFQ
ECAD 9083 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL25 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 50V 11.1ma 7.2V
CDLL5297 Microchip Technology CDLL5297 21.9450
RFQ
ECAD 2662 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 100V 1.1ma 1.35V
JANS1N5291UR-1 Microchip Technology JANS1N5291UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5291 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANHCA1N5309 Microchip Technology Janhca1n5309 -
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5309 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
JAN1N5293UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5293ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5293 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5293UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5285-1 Microchip Technology 1N5285-1 21.6600
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5285 500MW do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5299-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5299-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 4416 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5299 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5299-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANTXV1N5303-1 Microchip Technology JANTXV1N5303-1 36.4050
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5303 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
JANS1N5313UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5313UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5313UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
1N5313-1/TR Microchip Technology 1N5313-1/tr 21.8400
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5313 500MW DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5313-1/tr 100 100V 4.73mA 2.75V
1N5291UR-1 Microchip Technology 1N5291UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5291 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANS1N5286-1 Microchip Technology JANS1N5286-1 99.8700
RFQ
ECAD 8761 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5286 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
1N7048-1 Microchip Technology 1N7048-1 7.1700
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N7048 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
CD5283 Microchip Technology CD5283 19.2450
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD528 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5283 Ear99 8541.10.0040 1 100V 242µA 1V
CDLL5291/TR Microchip Technology CDLL5291/TR 25.2900
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5291/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 616µA 1.1V
1N5294-1 Microchip Technology 1N5294-1 18.6000
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5294 500MW do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANTXV1N5312-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5312-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5312 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5312-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JAN1N5294-1 Microchip Technology Jan1n5294-1 31.5150
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5294 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
1N5283UR-1/TR Microchip Technology 1N5283UR-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5283 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5283UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDLL7054/TR Microchip Technology CDLL7054/tr 68.3250
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDLL70 - 到达不受影响 150-CDLL7054/tr 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库