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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANTXV1N5305-1 Microchip Technology JANTXV1N5305-1 36.4800
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5305 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 2266-JANTXV1N5305-1 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JANTXV1N5310-1 Microchip Technology JANTXV1N5310-1 36.4050
RFQ
ECAD 7856 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANTXV1N5311UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5311ur-1 40.8000
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5311 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
JANTXV1N5314UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5314UR-1 43.9200
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5314 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 5.17mA 2.9V
JANS1N5284UR-1 Microchip Technology JANS1N5284UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5284 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANS1N5285-1 Microchip Technology JANS1N5285-1 99.8700
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5285 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5286-1 Microchip Technology JANS1N5286-1 99.8700
RFQ
ECAD 8761 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5286 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANS1N5289UR-1 Microchip Technology JANS1N5289UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 8513 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5289 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANS1N5291UR-1 Microchip Technology JANS1N5291UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5291 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANS1N5296UR-1 Microchip Technology JANS1N5296UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5296 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.001mA 1.29V
JANS1N5299UR-1 Microchip Technology JANS1N5299UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5299 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANS1N5301UR-1 Microchip Technology JANS1N5301UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5301 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
JANS1N5304-1 Microchip Technology JANS1N5304-1 99.8700
RFQ
ECAD 7833 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5304 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANS1N5304UR-1 Microchip Technology JANS1N5304UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5304 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANS1N5306-1 Microchip Technology JANS1N5306-1 99.8700
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5306 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANS1N5308-1 Microchip Technology JANS1N5308-1 99.8700
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5308 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.97mA 2.15V
JANS1N5310-1 Microchip Technology JANS1N5310-1 99.8700
RFQ
ECAD 5218 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANS1N5311-1 Microchip Technology JANS1N5311-1 99.8700
RFQ
ECAD 1919年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5311 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
JANS1N5313-1 Microchip Technology JANS1N5313-1 99.8700
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5313 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
1N5283-1 Microchip Technology 1N5283-1 18.4950
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5283 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
1N5289 Microchip Technology 1N5289 21.8550
RFQ
ECAD 7091 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5289 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5290-1 Microchip Technology 1N5290-1 18.6000
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5290 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5307UR-1 Microchip Technology 1N5307UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5307 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
JANS1N5292UR-1 Microchip Technology JANS1N5292UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 4521 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5292 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5305-1 Microchip Technology JANS1N5305-1 100.8300
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5305 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JANS1N5305UR-1 Microchip Technology JANS1N5305UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5305 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JANS1N5309UR-1 Microchip Technology JANS1N5309UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5309 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
JANS1N5313UR-1 Microchip Technology JANS1N5313UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 7400 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5313 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
1N7048-1 Microchip Technology 1N7048-1 7.1700
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N7048 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
1N5283UR-1 Microchip Technology 1N5283UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5283 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库