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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5314-1 | 18.8100 | ![]() | 7911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
![]() | Jan1n5302ur-1 | 36.6900 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5302 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
![]() | CD5288 | 19.2450 | ![]() | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5288 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | ||||
![]() | CD5287 | 19.2450 | ![]() | 3571 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5287 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||
![]() | 1N5295/tr | 18.7950 | ![]() | 7687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5295 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5295/tr | 100 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||
![]() | 1N5292UR-1/TR | 24.9900 | ![]() | 6888 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5292UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | 1N5301UR-1/tr | 21.9800 | ![]() | 1429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||
![]() | JANTXV1N5284UR-1 | 40.2450 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | 1N5285/tr | 18.6900 | ![]() | 1726年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5285 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5285/tr | 100 | 100V | 297µA | 1V | |||||
![]() | CD5285 | 19.2450 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5285 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||||
![]() | JANS1N5295UR-1 | 130.1550 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
![]() | Jan1n5292ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 3349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5292UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | CD5286B | 19.2450 | ![]() | 9360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD528 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5286B | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||||
JANS1N5298-1 | 116.6200 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | JANS1N5297UR-1/TR | 131.5650 | ![]() | 9704 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5297UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||
![]() | jankca1n5287 | - | ![]() | 8195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||
![]() | 1N5299/tr | 18.7950 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5299/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
![]() | JANS1N5300-1 | 99.8700 | ![]() | 8353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||
![]() | jankca1n5298 | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5298 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | JANTXV1N5301UR-1 | 40.2450 | ![]() | 2981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | CDLL256 | 28.3200 | ![]() | 4388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50V | 10.01ma | 6.55V | |||
![]() | CDLL200/tr | 22.2750 | ![]() | 9468 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDLL20 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL200/tr | 100 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N5309-1 | 36.4050 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
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![]() | 1N5308ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-1N5308ur-1/tr | 100 | 100V | 2.97mA | 2.15V | |||||
![]() | JANS1N5294-1 | 99.8700 | ![]() | 8432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||
![]() | CD5303 | 19.2450 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5303 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
![]() | CD5297 | 19.4400 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5297 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
![]() | Jan1n5303-1/tr | 31.6650 | ![]() | 9679 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5303-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||
![]() | JANTX1N5298-1/TR | 33.6150 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5298-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V |
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