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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANS1N5286UR-1 Microchip Technology JANS1N5286UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5391 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5286 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JANTX1N5312-1/TR Microchip Technology JANTX1N5312-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 7732 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5312 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5312-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JANTXV1N5295-1 Microchip Technology JANTXV1N5295-1 36.4050
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5295 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5298UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5298UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5298UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.21ma 1.4V
JANKCA1N5309 Microchip Technology jankca1n5309 -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5309 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
JANS1N5310-1/TR Microchip Technology JANS1N5310-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5310-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JAN1N5310UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5310ur-1/tr 30.4650
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5310 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5310UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANTXV1N5310UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5310UR-1 40.4100
RFQ
ECAD 7638 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5310 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANTXV1N5311-1 Microchip Technology JANTXV1N5311-1 36.4050
RFQ
ECAD 4209 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5311 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
JANTXV1N5285-1 Microchip Technology JANTXV1N5285-1 36.4050
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5285 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JAN1N5313-1 Microchip Technology 1月1N5313-1 28.8900
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5313 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
1N5290 Microchip Technology 1N5290 18.6000
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5290 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5284/TR Microchip Technology 1N5284/tr 18.6900
RFQ
ECAD 4524 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5284 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5284/tr 100 100V 264µA 1V
1N5300UR-1/TR Microchip Technology 1N5300UR-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5300 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5300UR-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
JANTX1N5296UR-1 Microchip Technology JANTX1N5296UR-1 38.2650
RFQ
ECAD 6234 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5296 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.001mA 1.29V
JANKCA1N5288 Microchip Technology jankca1n5288 -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5288 Ear99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JAN1N5296UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5296ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 8091 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5296 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5296UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.001mA 1.29V
JANTXV1N5307-1 Microchip Technology JANTXV1N5307-1 36.4050
RFQ
ECAD 5808 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5307 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
JAN1N5284-1/TR Microchip Technology Jan1n5284-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 7874 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5284 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5284-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTX1N5305-1 Microchip Technology JANTX1N5305-1 28.8450
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5305 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JANS1N5305-1/TR Microchip Technology JANS1N5305-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 5770 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5305-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.2mA 1.85V
JAN1N5285UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5285ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5285 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5285UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5295UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5295UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 4898 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5295UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5300UR-1 Microchip Technology JANS1N5300UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 2732 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5300 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
CDS5314UR-1/TR Microchip Technology CDS5314UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS53 - 到达不受影响 150-CDS5314ur-1/tr 50
JANTX1N5301-1/TR Microchip Technology JANTX1N5301-1/TR 35.1750
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5301 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5301-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
JAN1N5302-1/TR Microchip Technology Jan1n5302-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5302 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5302-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.65mA 1.6V
JANS1N5285UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5285UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7062 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5285UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
1N5313UR-1 Microchip Technology 1N5313UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5313 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
JAN1N5309UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5309ur-1/tr 25.6950
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5309 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5309UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库