SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
CDLL5305E3/TR Microchip Technology CDLL5305E3/tr 25.4850
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5305E3/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 2.2mA 1.85V
CDLL254 Microchip Technology CDLL254 28.3200
RFQ
ECAD 1913年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL25 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 60V 8.25mA 5.4V
1N5295-1/TR Microchip Technology 1N5295-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 6547 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5295 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5295-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTXV1N5295UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5295UR-1 40.2450
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
1N5285UR-1 Microchip Technology 1N5285UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5285 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5285-1 Microchip Technology JANS1N5285-1 99.8700
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5285 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANS1N5304-1 Microchip Technology JANS1N5304-1 99.8700
RFQ
ECAD 7833 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5304 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANS1N5301UR-1 Microchip Technology JANS1N5301UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5301 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
1N5291-1 Microchip Technology 1N5291-1 21.6600
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5291 500MW do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANS1N5311-1 Microchip Technology JANS1N5311-1 99.8700
RFQ
ECAD 1919年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5311 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
CDS5303UR-1 Microchip Technology CDS5303UR-1 -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 CDS53 - 到达不受影响 150-CDS5303UR-1 50
1N5306-1/TR Microchip Technology 1N5306-1/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5131 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5306 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5306-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANTXV1N5289UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5289UR-1 -
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5289 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
CDLL5304/TR Microchip Technology CDLL5304/tr 25.2900
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5304/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 1.98mA 1.75V
1N5303UR-1 Microchip Technology 1N5303UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5303 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
JANTXV1N5309-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5309-1/TR 49.8150
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5309 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5309-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
1N7048-1/TR Microchip Technology 1N7048-1/tr 7.3650
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 1N7048 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N7048-1/tr Ear99 8541.10.0050 1
1N5299UR-1 Microchip Technology 1N5299ur-1 21.8250
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5299 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANTXV1N5312-1 Microchip Technology JANTXV1N5312-1 36.4050
RFQ
ECAD 4629 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5312 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JAN1N5310-1/TR Microchip Technology Jan1n5310-1/tr 27.1650
RFQ
ECAD 1693年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5310-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANTX1N5292-1 Microchip Technology JANTX1N5292-1 33.9900
RFQ
ECAD 9750 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTX1N5313-1 Microchip Technology JANTX1N5313-1 34.3650
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5313 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
JANKCA1N5283 Microchip Technology jankca1n5283 -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5283 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5293UR-1 Microchip Technology Jan1n5293ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5293 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
CDS5283UR-1/TR Microchip Technology CDS5283UR-1/tr -
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS52 - 到达不受影响 150-CDS5283UR-1/TR 50
CDLL255/TR Microchip Technology CDLL255/tr 28.5000
RFQ
ECAD 5981 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL25 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 150-CDLL255/tr 100 60V 9.02mA 5.9V
JANHCA1N5285 Microchip Technology Janhca1n5285 -
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5285 Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5291UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5291UR-1 -
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5291 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTXV1N5310-1 Microchip Technology JANTXV1N5310-1 36.4050
RFQ
ECAD 7856 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
1N5283-1 Microchip Technology 1N5283-1 18.4950
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5283 500MW do-7 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库