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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL5305E3/tr | 25.4850 | ![]() | 5880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5305E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | CDLL254 | 28.3200 | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 60V | 8.25mA | 5.4V | |||
![]() | 1N5295-1/tr | 18.7950 | ![]() | 6547 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5295-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
![]() | JANTXV1N5295UR-1 | 40.2450 | ![]() | 1316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
![]() | 1N5285UR-1 | 21.8250 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
![]() | JANS1N5285-1 | 99.8700 | ![]() | 7288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
![]() | JANS1N5304-1 | 99.8700 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5304 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
![]() | JANS1N5301UR-1 | 130.1550 | ![]() | 1849年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
![]() | 1N5291-1 | 21.6600 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||
![]() | JANS1N5311-1 | 99.8700 | ![]() | 1919年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
![]() | CDS5303UR-1 | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5303UR-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | 1N5306-1/tr | 18.7950 | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5306-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||
![]() | JANTXV1N5289UR-1 | - | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | CDLL5304/tr | 25.2900 | ![]() | 2994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5304/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
![]() | 1N5303UR-1 | 21.8250 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5303 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||
![]() | JANTXV1N5309-1/TR | 49.8150 | ![]() | 3667 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5309-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | 1N7048-1/tr | 7.3650 | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 1N7048 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N7048-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||
![]() | 1N5299ur-1 | 21.8250 | ![]() | 6889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5299 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
![]() | JANTXV1N5312-1 | 36.4050 | ![]() | 4629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
![]() | Jan1n5310-1/tr | 27.1650 | ![]() | 1693年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5310-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
![]() | JANTX1N5292-1 | 33.9900 | ![]() | 9750 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5292 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | JANTX1N5313-1 | 34.3650 | ![]() | 1312 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | jankca1n5283 | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5283 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||
![]() | Jan1n5293ur-1 | 36.6900 | ![]() | 6944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748µA | 1.15V | ||
![]() | CDS5283UR-1/tr | - | ![]() | 9656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5283UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDLL255/tr | 28.5000 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL25 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL255/tr | 100 | 60V | 9.02mA | 5.9V | |||||
![]() | Janhca1n5285 | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5285 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
![]() | JANTXV1N5291UR-1 | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5291 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | JANTXV1N5310-1 | 36.4050 | ![]() | 7856 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
![]() | 1N5283-1 | 18.4950 | ![]() | 7813 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V |
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