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当前调节 -二极管，晶体管（，晶体管（957）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5299-1/tr | 18.7950 |  | 1764年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5299 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5299-1/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
 | 1N5304/tr | 18.7950 | | 8446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5304 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5304/tr | 100 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||||
 | CDS5314UR-1/TR | - | | 6883 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5314ur-1/tr | 50 | ||||||||||||||
| 1N5311/tr | 18.7950 | | 5530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5311 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5311/tr | 100 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||||
| 1N5288 | 18.6000 | | 2670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5288 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5288 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||||
| CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
| CDLL7051 | 68.1450 | | 8821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051 | 1 | ||||||||||||||
| CDLL7055 | 68.1450 | | 7990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7055 | 1 | ||||||||||||||
| 1N5291 | 18.6000 | | 1319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5291 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | |||||
| 1N5312 | 18.6000 | | 9235 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5312 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||||
| 1N5298 | 18.6000 | | 8100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5298 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||||
| CDLL7052 | 68.1450 | | 1143 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7052 | 1 | ||||||||||||||
| 1N5286 | 18.4950 | | 5790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5286 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5286 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||||
| CDS5297-1 | - | | 1856年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1 | 50 | ||||||||||||||
| 1N5299 | 18.6000 | | 2946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5299 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
| CD5290V | 38.5050 | | 2895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5290V | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||||
| CDS5312UR-1 | - | | 9826 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5312UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDS5298-1 | - | | 1179 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5298-1 | 50 | ||||||||||||||
| 1N5292 | 21.6600 | | 7059 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5292 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5292 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||
| CDS5314UR-1 | - | | 4985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5314UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| CD5292V | 38.5050 | | 2916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5292V | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | |||||
| 1N5294 | 18.6000 | | 7774 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5294 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5294 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||||
| 1N5309-1E3 | 18.7950 | | 7245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5309 | 500MW | DO-35（do-204AH） | - | 到达不受影响 | 150-1N5309-1E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||||
| CDS5313UR-1 | - | | 4732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5313UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDS5311ur-1 | - | | 4779 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5311ur-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDS5309-1 | - | | 7760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5309-1 | 50 | ||||||||||||||
 | Jan1n5283ur-1 | - | | 2952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5283 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
| JANTX1N5285-1 | 33.3000 | | 9056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
| JANTXV1N5285-1 | 36.4050 | | 7440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5285 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | ||
| JANTX1N5285UR-1 | 38.2650 | | 2380 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V |
2000+
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