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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANTX1N5310-1/TR Microchip Technology JANTX1N5310-1/TR 31.9350
RFQ
ECAD 2185 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5310-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JAN1N5295UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5295ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5295UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5314-1/TR Microchip Technology JANS1N5314-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3390 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5314-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 5.17mA 2.9V
JAN1N5285UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5285ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5285 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5285UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5307UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5307UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 5351 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5307 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5307UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
JANHCA1N5310 Microchip Technology Janhca1n5310 -
RFQ
ECAD 2073 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5310 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
JANHCA1N5306 Microchip Technology Janhca1n5306 -
RFQ
ECAD 2369 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5306 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANTX1N5294-1/TR Microchip Technology JANTX1N5294-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5294 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5294-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JAN1N5289-1/TR Microchip Technology Jan1n5289-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 1920年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5289 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5289-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTX1N5293UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5293UR-1/TR 38.4300
RFQ
ECAD 2143 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5293 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5293UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
CDLL5286/TR Microchip Technology CDLL5286/tr 25.2900
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5286/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
CDLL5313E3 Microchip Technology CDLL5313E3 25.5300
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5313E3 Ear99 8541.10.0050 1 100V 4.73mA 2.75V
JAN1N5299UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5299ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 8195 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5299 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5299UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.32mA 1.45V
JANS1N5295-1/TR Microchip Technology JANS1N5295-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5295-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANKCA1N5309 Microchip Technology jankca1n5309 -
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5309 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
JANTXV1N5312UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5312UR-1/TR 40.5600
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5312 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5312UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JANS1N5284UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5284UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5284UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTX1N5301-1/TR Microchip Technology JANTX1N5301-1/TR 35.1750
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5301 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5301-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
JANKCA1N5291 Microchip Technology jankca1n5291 -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5291 Ear99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTX1N5294UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5294UR-1/TR 38.4300
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5295 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5294UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JANTX1N5313-1/TR Microchip Technology JANTX1N5313-1/TR 34.5300
RFQ
ECAD 9451 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5313 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5313-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
JANTX1N5292-1/TR Microchip Technology JANTX1N5292-1/TR 34.1550
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5292 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5292-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
CDLL5305E3 Microchip Technology CDLL5305E3 25.2900
RFQ
ECAD 5323 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5305E3 Ear99 8541.10.0050 1 100V 2.2mA 1.85V
JANKCA1N5292 Microchip Technology jankca1n5292 -
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N5292 Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANTXV1N5303-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5303-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 2183 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5303 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5303-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
1N5290UR-1E3 Microchip Technology 1N5290UR-1E3 22.0050
RFQ
ECAD 4457 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5290 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5290UR-1E3 Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5286UR-1/TR Microchip Technology 1N5286ur-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 1973 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5286 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5286ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CD5302 Microchip Technology CD5302 19.2450
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD530 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5302 Ear99 8541.10.0040 1 100V 1.65mA 1.6V
JANS1N5285UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5285UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 7062 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5285UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTX1N5309-1/TR Microchip Technology JANTX1N5309-1/TR 36.5700
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5309 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5309-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.3mA 2.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库