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当前调节 -二极管，晶体管（，晶体管（957）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | CDLL5314 | 25.0950 | | 8680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
| CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
 | 1N5309-1 | 18.6000 | | 3095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
| JANTX1N5307-1/TR | 34.1550 | | 2513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5307-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
| JANTXV1N5297UR-1/TR | 40.8000 | | 5266 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5297 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5297UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
 | JANTXV1N5305UR-1/TR | 40.4100 | | 9789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5305 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5305UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
| JANS1N5314-1 | 99.8700 | | 4735 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
| JANTX1N5296-1 | - | | 5441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
| JANTX1N5294-1/TR | 34.1550 | | 8674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5294-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
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| JANTXV1N5299UR-1/TR | 40.4100 | | 6881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5299 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
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| JANS1N5310UR-1/TR | 130.3050 | | 3066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
| JANTXV1N5310UR-1/TR | 40.5600 | | 5349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5310 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
| CDLL7051/tr | 68.3250 | | 6657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051/tr | 100 | ||||||||||||||
| JANTXV1N5297-1 | 36.8100 | | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
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| JANTX1N5291-1 | 33.9900 | | 9661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
 | JANS1N5301-1/TR | 100.0200 | | 8903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||
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| 1N5290UR-1 | 22.0350 | | 7039 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5290 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||||
| 1N5307 | 18.6000 | | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||||
| JANTX1N5294UR-1/TR | 38.4300 | | 7987 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5295 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5294UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
| JANTX1N5303-1 | 33.9900 | | 9148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
| JANS1N5300-1/TR | 100.0200 | | 2896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||
| Jan1n5299ur-1 | 36.6900 | | 7330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5299 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
| Janhca1n5310 | - | | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5310 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V |
2000+
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标准产品单位
2800+
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