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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV1N5288UR-1 | 40.2450 | ![]() | 7989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5288 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||
![]() | Janhca1n5310 | - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5310 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||
![]() | 1N5293ur-1/tr | 21.9800 | ![]() | 1038 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 748µA | 1.15V | ||||||
![]() | jankca1n5288 | - | ![]() | 9227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5288 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||
1N5309-1E3/tr | 18.9900 | ![]() | 5370 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5309 | 500MW | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5309-1E3/tr | 100 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||||
![]() | JANS1N5297UR-1 | 131.4000 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
![]() | 1月1N5309-1 | 31.5150 | ![]() | 7789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | JANTXV1N5307-1 | 36.4050 | ![]() | 5808 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
![]() | CDLL7051 | 68.1450 | ![]() | 8821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051 | 1 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5300-1/TR | 36.5700 | ![]() | 7700 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5300 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||
![]() | JANTXV1N5297UR-1/TR | 40.8000 | ![]() | 5266 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5297UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
![]() | CDS5297-1 | - | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | CDLL5314 | 25.0950 | ![]() | 8680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
![]() | JANTX1N5296-1 | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
![]() | JANS1N5314-1 | 99.8700 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||
![]() | JANTXV1N5305UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5305 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5305UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | JANTXV1N5310UR-1/TR | 40.5600 | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5310 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5310UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||
![]() | JANTXV1N5297-1 | 36.8100 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5297 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||
![]() | 1N5286 | 18.4950 | ![]() | 5790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5286 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5286 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||||
![]() | CDLL5292/tr | 25.2900 | ![]() | 6388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5292/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 682µA | 1.13V | ||
![]() | JANTX1N5291-1 | 33.9900 | ![]() | 9661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5291 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||
![]() | CDLL7051/tr | 68.3250 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7051/tr | 100 | ||||||||||||||
![]() | Janhca1n5288 | - | ![]() | 7023 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5288 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||
![]() | JANS1N5300-1/TR | 100.0200 | ![]() | 2896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5300-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |||
![]() | Jan1n5299ur-1 | 36.6900 | ![]() | 7330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5299 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | JANTX1N5303-1 | 33.9900 | ![]() | 9148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | ||||
![]() | 1N5309-1 | 18.6000 | ![]() | 3095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
![]() | 1N5307 | 18.6000 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||||
![]() | JANTX1N5294UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 7987 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5294UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | CDLL7053 | 68.1450 | ![]() | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL70 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL7053 | 1 |
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