SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) ((() 电压 -限制(最大)
JANTX1N5304-1 Microchip Technology JANTX1N5304-1 -
RFQ
ECAD 8390 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5304 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANS1N5306UR-1 Microchip Technology JANS1N5306UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5296 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5306 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.42mA 1.95V
JANS1N5283-1 Microchip Technology JANS1N5283-1 99.8700
RFQ
ECAD 5856 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5283 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 2266-JANS1N5283-1 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
1N5287UR-1 Microchip Technology 1N5287ur-1 22.0350
RFQ
ECAD 2874 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5287 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
CDLL255 Microchip Technology CDLL255 28.3200
RFQ
ECAD 3272 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL25 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 60V 9.02mA 5.9V
JAN1N5288UR-1 Microchip Technology Jan1n5288ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5288 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
JANS1N5300UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5300UR-1/TR 131.5650
RFQ
ECAD 7782 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5300UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.43mA 1.5V
JANTX1N5313-1/TR Microchip Technology JANTX1N5313-1/TR 34.5300
RFQ
ECAD 9451 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5313 500MW do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5313-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
JANS1N5303UR-1 Microchip Technology JANS1N5303UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5303 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
CDLL5301 Microchip Technology CDLL5301 25.0950
RFQ
ECAD 4841 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 100V 1.54mA 1.55V
CDLL5284/TR Microchip Technology CDLL5284/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1931年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5284/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 264µA 1V
CDLL5293/TR Microchip Technology CDLL5293/tr 25.2900
RFQ
ECAD 9528 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL52 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5293/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 748µA 1.15V
1N5298 Microchip Technology 1N5298 18.6000
RFQ
ECAD 8100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5298 500MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5298 1 100V 1.21ma 1.4V
JANTX1N5310-1 Microchip Technology JANTX1N5310-1 32.0850
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5310 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 JANTX1N5310-1MS Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.63mA 2.35V
CDLL5308/TR Microchip Technology CDLL5308/tr 25.2900
RFQ
ECAD 6948 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL53 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5308/tr Ear99 8541.10.0050 1 100V 2.97mA 2.15V
JAN1N5308-1 Microchip Technology Jan1n5308-1 31.5150
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5308 500MW do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 2.97mA 2.15V
1N5283 Microchip Technology 1N5283 18.6750
RFQ
ECAD 7600 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5283 500MW DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5285UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5285UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 7930 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5285 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5285UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5304UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5304UR-1 40.2450
RFQ
ECAD 4493 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5304 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
CDS5298-1 Microchip Technology CDS5298-1 -
RFQ
ECAD 1179 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 CDS52 - 到达不受影响 150-CDS5298-1 50
JAN1N5311UR-1 Microchip Technology Jan1n5311ur-1 30.3150
RFQ
ECAD 7699 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5311 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 3.96mA 2.5V
1N5297/TR Microchip Technology 1N5297/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜175°C - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5297 475MW do-7 - 到达不受影响 150-1N5297/tr 100 100V 1.1ma 1.35V
JANTXV1N5313UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5313UR-1 -
RFQ
ECAD 4441 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5313 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.73mA 2.75V
JANTX1N5286UR-1 Microchip Technology JANTX1N5286UR-1 38.2650
RFQ
ECAD 5300 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5286 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
1N5304-1 Microchip Technology 1N5304-1 21.8250
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5304 500MW do-7 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
1N5312UR-1 Microchip Technology 1N5312UR-1 21.6300
RFQ
ECAD 9248 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5312 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JANTXV1N5292UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5292UR-1/TR 40.4100
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5292 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5292UR-1/TR Ear99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5303-1 Microchip Technology JANS1N5303-1 99.8700
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) - 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N5303 500MW do-7 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.76mA 1.65V
JANTXV1N5290UR-1 Microchip Technology JANTXV1N5290UR-1 -
RFQ
ECAD 1689年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/463 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C(TJ) - 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N5290 500MW DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N7048UR-1 Microchip Technology 1N7048UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N7048 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库