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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | JANTXV1N5301-1/TR | 36.5700 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | JANS1N5299UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5299UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||
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![]() | JANTX1N5283-1/TR | 36.2850 | ![]() | 3292 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5283-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||
![]() | 1N5284ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 8107 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5284ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||
![]() | 1N5288/tr | 18.7950 | ![]() | 1991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5288 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5288/tr | 100 | 100V | 429µA | 1.05V | |||||
![]() | 1N5303/tr | 18.7950 | ![]() | 4067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5303 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5303/tr | 100 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |||||
![]() | Jan1n5312-1 | 28.8900 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||
![]() | CDLL5313E3/tr | 25.4850 | ![]() | 3401 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5313E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | 1N5307/tr | 18.7950 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5307 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5307/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.64mA | 2V | ||
![]() | Jan1n5299-1/tr | 31.6650 | ![]() | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5299-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | ||
![]() | CDLL5309/TR | 25.2900 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5309/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | JANS1N5296UR-1/TR | 130.3050 | ![]() | 6476 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5296UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||
![]() | CDLL5297 | 21.9450 | ![]() | 2662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | |||
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![]() | JANTX1N5286UR-1/TR | 38.4300 | ![]() | 2777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5286UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
![]() | JANTX1N5306-1 | 33.9900 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42mA | 1.95V | ||||
![]() | 1N5297UR-1 | 22.0350 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
![]() | 1N5300UR-1 | 22.0350 | ![]() | 9703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5300 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||||
![]() | Jan1n5313ur-1/tr | 30.4650 | ![]() | 7569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5313 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5313UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||
![]() | 1N5298-1 | 21.6600 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | 1N5286ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 1973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5286ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
![]() | JANS1N5290-1 | 99.8700 | ![]() | 7031 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | 1月1N5298-1 | 31.5150 | ![]() | 3643 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | ||
![]() | JANTX1N5286-1 | 33.3000 | ![]() | 1795年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5286 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | |||
![]() | JANS1N5312UR-1 | 131.4000 | ![]() | 5036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
![]() | JANTX1N5289-1/TR | 34.1550 | ![]() | 2201 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5289-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | JANTXV1N5309UR-1 | 40.4100 | ![]() | 9260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | JANTXV1N5294UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 3227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5294 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5294UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | ||
![]() | 1N5312-1/tr | 18.7950 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5312 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5312-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V |
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