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当前调节 -二极管，晶体管（，晶体管（957）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 达到状态 | 其他名称 | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5309E3/tr | 18.9900 |  | 4906 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5309E3/tr | 100 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |
 | 1N5313-1/tr | 21.8400 | | 7302 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5313 | 500MW | DO-35（do-204AH） | 到达不受影响 | 150-1N5313-1/tr | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |
 | CDLL253/tr | 28.5000 | | 6727 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 到达不受影响 | 150-CDLL253/tr | 100 | 70V | 7.48mA | 4.9V | |
| 1N5292/tr | 21.8400 | | 3782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5292 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5292/tr | 100 | 100V | 682µA | 1.13V | |
| CDLL255/tr | 28.5000 | | 5981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 到达不受影响 | 150-CDLL255/tr | 100 | 60V | 9.02mA | 5.9V | |
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| 1N5283-1/tr | 18.6900 | | 2302 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5283 | 500MW | DO-35（do-204AH） | 到达不受影响 | 150-1N5283-1/tr | 100 | 100V | 242µA | 1V | |
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| 1N5313/tr | 21.8400 | | 1045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5313/tr | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |
| 1N5310/tr | 18.7950 | | 6706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5310/tr | 100 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |
| 1N5303 | 18.6000 | | 3097 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5303 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5303 | 1 | 100V | 1.76mA | 1.65V | |
| CDS5304UR-1 | - | | 1004 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | 到达不受影响 | 150-CDS5304UR-1 | 50 | ||||||||||
| CD5299B | 19.2450 | | 6141 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | 死 | CD529 | - | 死 | 到达不受影响 | 150-CD5299B | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |
| CDS5298UR-1 | - | | 1884年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS52 | 到达不受影响 | 150-CDS5298UR-1 | 50 | ||||||||||
| 1N5298RL | 18.6000 | | 1634年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N5298 | 到达不受影响 | 150-1N5298RL | 1 | ||||||||||
| 1N5309E3 | 18.7950 | | 5439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5309 | 500MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5309E3 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |
| CDS5309UR-1 | - | | 4997 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | 到达不受影响 | 150-CDS5309UR-1 | 50 | ||||||||||
| 1N5313-1E3 | 21.8400 | | 6193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5313 | 500MW | DO-35（do-204AH） | 到达不受影响 | 150-1N5313-1E3 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |
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| 1N5306/tr | 18.7950 | | 4303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5306 | 500MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5306/tr | 100 | 100V | 2.42mA | 1.95V | |
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| 1N5300/tr | 18.7950 | | 8546 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5300 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5300/tr | 100 | 100V | 1.43mA | 1.5V | |
| 1N5301/tr | 18.7950 | | 9425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5301/tr | 100 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |
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| CDLL7050/tr | 68.3250 | | 7631 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDLL70 | 到达不受影响 | 150-CDLL7050/tr | 100 | ||||||||||
| 1N5299E3/tr | 18.9900 | | 1814年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5299E3/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |
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| 1N5299E3 | 18.7950 | | 6429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | 到达不受影响 | 150-1N5299E3 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |
| CDS5305UR-1 | - | | 3084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | 到达不受影响 | 150-CDS5305UR-1 | 50 | ||||||||||
| CDS5303-1 | - | | 7034 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | 到达不受影响 | 150-CDS5303-1 | 50 |
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